桑磊

作品数：12被引量：27H指数：3
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供职机构：合肥工业大学更多>>
发文主题：可重构馈电宽带微波器件卷曲更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学电气工程更多>>
发文期刊：《微电子学》《合肥工业大学学报（自然科学版）》《计算机工程》《电波科学学报》更多>>
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一种高可靠性柔性双频单极子天线设计被引量：3
《合肥工业大学学报（自然科学版）》2020年第11期1513-1516,共4页戴柯寒 马宵宵 桑磊 
国家重点研发计划资助项目(20160100YFE500)。
针对天线多频段工作要求,文章提出并设计了一种低剖面柔性双频单极子天线。天线的辐射单元由2段指数曲线形成的贴片构成;天线厚度为0.25 mm,实现了低剖面;采用柔性材料,实现不同弯曲角度下在2.4、5.8 GHz下都能较好地工作,且方向图稳定...
关键词：低剖面 聚酰亚胺 双频 柔性天线 
超宽带高增益对踵Vivaldi天线的设计
《合肥工业大学学报（自然科学版）》2020年第3期370-375,共6页刘刚 郭肖肖 戴柯寒 周豪 曹锐 桑磊 
国家重点研发计划资助项目(2016YFE0100500)。
文章设计了加载周期波纹与三层介质透镜的对踵Vivaldi天线(antipodal Vivaldi antenna with a periodic slit edge and three-layer trapezoid-shaped dielectric lens,PSEAVA-TDL),拓展了传统对踵Vivaldi天线(conventional antipodal V...
关键词：对踵Vivaldi天线 周期性波纹 介质透镜 端射增益 拓展带宽 
一种应用于平方公里中频阵的锥削槽天线阵的设计被引量：1
《电波科学学报》2019年第3期363-370,共8页曹锐 卢保军 郭肖肖 桑磊 
国家重点研发计划资助项目(2016YFE0100500)
设计了一种应用于平方公里中频孔径阵列的双极化超宽带锥削槽天线.该天线采用五边形谐振腔代替传统锥削槽天线的正方形谐振腔,在不占用有源电路面积的情况下,拓展了低频工作带宽;采用辐射板与馈电巴伦分离设计,在不影响天线电性能的前提...
关键词：平方公里阵 中频孔径阵列 双极化 五边形谐振腔 十字形结构 
一种W波段SiGe BiCMOS平衡式功率放大器被引量：4
《微电子学》2019年第1期63-67,共5页徐余龙 施雨 李庄 陶小辉 曹锐 桑磊 
国家重点研发计划政府间国际科技创新合作重点专项资助项目(2016YFE0100500)
基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种W波段平衡式功率放大器。采用了由两个单级放大器和两个3dB差分正交耦合器组成的全差分结构。采用变压器匹配网络,实现了良好的输入与输出匹配性能。利用三维电磁场仿真软件进行了电磁仿真。仿...
关键词：平衡式功率放大器 变压器匹配网络 W波段 SIGE BICMOS 耦合器 
一种用于SKA的SiGe宽带低噪声放大器
《合肥工业大学学报（自然科学版）》2019年第2期211-214,236,共5页陈涛 庞东伟 桑磊 曹锐 
国家自然科学基金资助项目(61401143)
文章设计了一款用于平方公里阵列(Square Kilometer Array,SKA)接收前端的异质结双极型晶体管(heterojunction bipolar transistor,HBT)低噪声放大器。放大器的第1级在反馈电感的基础上采用电容负载,利用晶体管寄生电容拓展带宽;第2级...
关键词：宽带 超低噪声 SIGE工艺 低噪声放大器 平方公里阵列(SKA) 
基于SiGe BiCMOS工艺的90～100 GHz单刀双掷开关
《微电子学》2019年第1期88-92,共5页施雨 徐余龙 庞东伟 陈涛 桑磊 李庄 曹锐 
国家重点研发计划政府间国际科技创新合作重点专项资助项目(2016YFE0100500)
采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种频带为90～100GHz的差分单刀双掷开关。首先对比分析了并联MOS管与串联MOS管,根据隔离度与损耗性能选择了并联结构。其次采用差分螺旋电感进行匹配,将双端口电感网络等效为变压器模型,显著抑制...
关键词：SIGE BICMOS 共模抑制 单刀双掷开关 
S波段GaN MMIC功率放大器的设计被引量：3
《微电子学》2018年第6期748-752,共5页刘世中 桑磊 
国家自然科学基金资助项目(61401143)
针对宽带单片微波集成电路(MMIC)功率放大器在匹配过程中存在电路枝节复杂、优化周期较长的问题,采用了低Q值多节LC匹配网络的方法,并结合阻抗在Smith圆图上的变化趋势,能快速确定输出级阻抗匹配网络的结构。基于0.25μm GaN HEMT工艺,...
关键词：宽带 低Q值 功率放大器 阻抗匹配 
120nm SiGe BiCMOS 90～100GHz低噪声放大器被引量：2
《微电子学》2018年第2期173-177,188,共6页庞东伟 陈涛 施雨 桑磊 陶小辉 曹锐 
国家自然科学基金资助项目(61401143)
基于IBM8HP 120nm SiGe BiCMOS工艺,分析了晶体管的最小噪声系数和最大可用增益特性。采用两级Cascode放大器级联结构,研制出一种频带为90~100GHz的低噪声放大器(LNA)。详细分析了Cascode放大器潜在的自激可能性,采用串联小电阻的方式...
关键词：SIGE 最小噪声系数 最大可用增益 共源共栅 
太赫兹液晶反射阵列移相单元的设计与分析被引量：2
《太赫兹科学与电子信息学报》2017年第2期187-191,共5页葛忆 夏天雨 杨军 邓光晟 尹治平 桑磊 
国家自然科学基金资助项目(51607050)
为了满足高增益天线大的移相度和可工作在太赫兹频段,设计了一种基于液晶的双偶极子反射移相单元结构。采用液晶的等效介电常数模型,在频率为335~345 GHz频段均产生360o以上的相移,在342 GHz实现最大相移390o。为了减小液晶不均匀性对...
关键词：反射阵列 双偶极子 液晶 太赫兹 移相单元 
液晶介电常数在微波至太赫兹频段测试技术被引量：3
《电子科技》2017年第4期123-127,共5页葛忆 叶明旭 杨军 邓光晟 尹治平 桑磊 
基于液晶材料的器件成为毫米波及太赫兹波领域的重要方向之一,文中总结了毫米波太赫兹波液晶器件的研究进展,介绍了液晶移相器的基本原理及应用,分析了液晶介电常数的主要测试方法,如传输线/反射法、谐振腔法、自由空间法、时域法等,比...
关键词：介电特性 太赫兹 移相器 液晶材料 介电常数 
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