单刀双掷开关

作品数：167被引量：130H指数：6
导出分析报告
相关领域：电子电信文化科学更多>>
相关作者：戴永胜陈烨乔冬春刘毅吴倩楠更多>>
相关机构：电子科技大学南京理工大学东南大学国家电网公司更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项国家高技术研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
Sub-6 GHz GaAs pHEMT高功率吸收型单刀双掷开关
《固体电子学研究与进展》2024年第1期39-44,共6页陈梓雅 张志浩 周杰海 李玮鑫 章国豪 
国家自然科学基金资助(61974035);广东省“珠江人才计划”本土创新科研团队(2017BT01X168);5G通信微基站用的高性能射频功率放大器芯片的研发及产业化(202009030006)。
基于0.5μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,设计了一款高功率吸收型单刀双掷开关芯片。芯片采用堆叠技术和前馈电容技术来提高功率容量和线性度。通过在传统串并联结构的输出端口引入串并联阻容匹配网络,实现了芯片在导通和关...
关键词：砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 吸收型开关 高功率 高隔离 阻抗匹配 
基于单个三模枝节加载谐振器的紧凑型单刀双掷开关设计
《空天防御》2023年第3期119-124,共6页蔡其航 顾村锋 万浩 计淞耀 靳子凡 段宇文 许进 
陕西省自然科学基础研究计划项目(2021JM-070);“同芯计划”高校专项科研计划项目(BM202100347);上海航天科技创新基金资助项目(SAST2019-009)。
为了减小滤波开关(FIS)的尺寸,基于单个三模枝节加载谐振器设计出了一种紧凑型的单刀双掷滤波开关(SPDT)。与传统的滤波开关相比,SPDT利用单个三模谐振器(TMR)在不同PIN管开关状态下呈现不同谐振模式与耦合路径的特点,成功地将单刀双掷...
关键词：三模谐振器 PIN二极管 滤波开关(FIS) 单刀双掷开关 
一种L~E波段的混合型射频MEMS单刀双掷开关设计
《微电子学》2023年第1期146-152,共7页李晓琪 湛永鑫 潘长凯 吴倩楠 李孟委 
装备发展部型谱资助项目(2006WW0011)
针对传统RF MEMS单刀双掷(SPDT)开关应用存在频段低、插入损耗高、隔离度低等问题,设计了一种混合型SPDT开关,通过在一条通路上设置接触式开关和电容式开关,实现了在L~E频段下的低插入损耗和高隔离度。通过设计蛇形上电极结构,降低了上...
关键词：射频MEMS开关 单刀双掷开关 混合型开关 蛇形上电极 
一种灵活适配传感器的接口电路及其应用
《传感器世界》2022年第12期45-45,共1页
申请号:202210814843.X【申请日】2022.07.12【公开号】CN114900179A【公开日】2022.08.12【分类号】H03K19/0175【申请人】天津光电集团有限公司【发明人】李小青;米向飞【摘要】本发明公开了一种灵活适配传感器的接口电路及其应用,外...
关键词：信号检测电路 接口电路 传感器类型 单刀双掷开关 检测传感器 外部传感器 分类号 LED灯 
数字阵面系统中新型本振放大链路的设计与应用被引量：1
《现代雷达》2022年第8期112-115,共4页张毅 王鹏飞 
数字T/R组件作为数字相控阵雷达系统的核心器件,其稳定性、可靠性直接影响系统的性能,而本振时钟信号的状态是数字组件稳定工作的前提。文中通过采用GaN功率器件和新型拓扑结构对链路增益重新分配,实现冗余设计。在频率源输出4 dBm~6 dB...
关键词：数字阵列雷达 本振 单刀双掷开关 可靠性 多频收发 
基于CMOS SOI工艺的低插入损耗的射频开关设计被引量：1
《集成电路应用》2022年第2期1-3,共3页肖磊 
基于0.13μm RF SOI CMOS工艺,提出了一种应用于LTE;DD/FDD接收发射模块的低插入损耗的单刀双掷(SPDT)射频开关电路。该电路通过使用绝缘体上硅(SOI)工艺,以及特殊的MOS器件,让设计的开关具有比传统CMOS器件拥有更好的隔离性能,同时实...
关键词：集成电路设计 SOI工艺 单刀双掷开关 输入损耗 隔离度 
L波段高功率单刀双掷开关设计与实现被引量：1
《微波学报》2022年第1期81-84,89,共5页赵桂铖 要志宏 
选用PIN二极管设计了一款工作在L波段的高功率单刀双掷(SPDT)开关,能耐受100 W连续波功率信号。开关采用串并联结构,增大开关的隔离度的同时拓宽了带宽。通过厚膜工艺、丝网印刷制作微带线、微组装工艺完成各个器件焊接互联,完成开关的...
关键词：PIN二极管 单刀双掷开关 高功率 
一种CMOS毫米波非对称单刀双掷开关
《中国集成电路》2021年第10期38-41,共4页赵松 李斌 王哲钒 
微波/毫米波电路可以用CMOS工艺实现,CMOS毫米波开关作为收发通道中工作频率最高的器件之一因而也备受工业和学术界的关注。本文介绍一种非对称电路结构的单刀双掷开关,并在毫米波频段进行设计和应用验证。该毫米波单刀双掷开关电路包...
关键词：CMOS 非对称 毫米波开关 单刀双掷 
24~30 GHz GaN HEMT单片集成单刀双掷开关被引量：2
《南京信息工程大学学报（自然科学版）》2021年第4期444-449,共6页曾丁元 朱浩慎 冯文杰 车文荃 薛泉 
国家重点研发计划(2018YFB1802002);广东省“珠江人才计划”引进创新创业团队项目(2017ZT07X032)。
本文研究了一种基于100 nm氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺设计的24~30 GHz单片集成单刀双掷(SPDT)开关.该开关采用1/4波长微带线并联HEMT开关器件的结构,通过采用两级并联HEMT实现低插入损耗同时获得更好的隔离度.测试结果显...
关键词：GaN HEMT 单片微波集成电路 单刀双掷开关 
基于GaAs pHEMT实现的毫米波宽频带低插损单刀双掷开关
《南京信息工程大学学报（自然科学版）》2021年第4期450-454,共5页张艺 张志浩 章国豪 
广东省重点领域研发计划(2018B010115001)。
介绍了一种基于滤波器优化方法的双节枝毫米波开关拓扑架构,每个节枝由串联的1/4波长阻抗变换器及并联的开关器件构成,并将整体分布式结构视为一个滤波器问题进行处理,可以有效降低插入损耗.利用该方法采用0.15μm GaAs pHEMT工艺实现...
关键词：毫米波 单刀双掷开关 GaAs pHEMT 低插入损耗 
全选清除导出
共17页<12345678910>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部