射频MEMS开关

作品数：23被引量：68H指数：4
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改进K型单刀四掷射频MEMS开关
《固体电子学研究与进展》2023年第3期266-271,共6页芮召骏 朱健 黄镇 姜理利 
针对射频器件小型化以及5G通信发展的需求,设计了一款射频微机电系统(RF-MEMS)单刀四掷开关。该开关由一个改进型K型功分器和六个单刀单掷开关级联构成,并基于硅基MEMS工艺进行制造。其中,改进型K型功分器由多个Y型功分器串并联构成。...
关键词：射频MEMS 硅基工艺 单刀四掷开关 
射频MEMS开关寿命测试系统的设计与实现
《电子测量技术》2023年第9期42-47,共6页史泽民 高旭东 王耀利 吴倩楠 李孟委 
装备发展部仪器型号项目资助。
针对射频MEMS开关寿命测试成本昂贵,测试连线复杂,且随着射频MEMS开关的尺寸不断缩小,传统测试效率低、测试任务只能在实验室进行等问题,本文设计并实现了一种小型且集成化的射频MEMS开关测试系统,组建了具备信号发生、波形实时监测、...
关键词：射频MEMS开关 MEMS测试 小型化测试系统 开关寿命 冷寿命 热寿命 
一种L~E波段的混合型射频MEMS单刀双掷开关设计
《微电子学》2023年第1期146-152,共7页李晓琪 湛永鑫 潘长凯 吴倩楠 李孟委 
装备发展部型谱资助项目(2006WW0011)
针对传统RF MEMS单刀双掷(SPDT)开关应用存在频段低、插入损耗高、隔离度低等问题,设计了一种混合型SPDT开关,通过在一条通路上设置接触式开关和电容式开关,实现了在L~E频段下的低插入损耗和高隔离度。通过设计蛇形上电极结构,降低了上...
关键词：射频MEMS开关 单刀双掷开关 混合型开关 蛇形上电极 
一种高功率射频MEMS开关设计
《舰船电子工程》2023年第2期185-189,共5页宁朝东 吴倩楠 王俊强 李孟委 
2020年装备发展部型谱项目(编号:2006WW0011)资助。
随着无线通信设备小型化以及宽通信范围的需求导致器件的功率密度要求越来越高。射频前端接收器和基站天线等射频通信应用要求开关能处理1W~2W的射频信号。论文设计了一种低损耗、高功率容量的四触点射频MEMS开关。文中对四触点射频MEM...
关键词：功率容量 射频MEMS开关 触点 
高速MEMS开关长时间实时监测系统设计被引量：1
《电子设计工程》2023年第2期16-19,24,共5页程亚昊 王志斌 王耀利 景宁 
国家自然基金青年基金项目(62105302);山西省青年基金项目(201801D221211);山西省自然基金项目(201901D111145)。
为了监测射频MEMS开关的工作状态,设计了一种基于FPGA复原波形计数技术的长时间工作状态监测系统。该系统由驱动和检测两部分构成:对于驱动电压比较高的MEMS芯片设计了可调的高压驱动电路,电压可调范围在40_(Vpp)~110_(Vpp)之间连续变化...
关键词：射频MEMS开关 高压偏置电路 寿命测试 FPGA BCD码 A/D 
一种K~D波段宽带射频MEMS开关设计被引量：3
《微电子学》2021年第6期894-899,共6页韩路路 吴倩楠 余建刚 王姗姗 王宇 李孟委 
国家自然科学基金资助项目(61705200);装备发展部新品项目(2018NW0026,2019NW0010);中北大学青年学术带头人项目(QX201905)。
针对卫星通信、电子对抗及微波测试系统对开关提出的宽带宽、低插损、低功耗的应用需求,设计了一种K~D波段宽带射频MEMS开关。通过优化衬底材料和十字型上电极结构提高开关的带宽,降低开关的损耗。利用HFSS电磁波仿真软件对开关的几何...
关键词：宽带 射频MEMS开关 插入损耗 隔离度 可重构 
一种射频MEMS开关高平整度牺牲层的制备方法被引量：2
《中北大学学报（自然科学版）》2020年第5期450-454,共5页高跃升 薛鹏飞 王俊强 吴倩楠 陈鸿 李孟委 
牺牲层工艺是制作MEMS开关的重要工艺,牺牲层平整度差会导致开关上电极变形,进而影响MEMS开关的性能.提出了一种高平整度聚酰亚胺牺牲层的制备方法,采用了自然平流法与双层牺牲层结合的方式.首先研究了温度对聚酰亚胺流动速度的影响,极...
关键词：MEMS开关 牺牲层 聚酰亚胺 平坦度 
一种双稳态电磁型射频MEMS开关的设计与测试
《半导体技术》2015年第2期117-122,共6页李慧娟 杨子健 孙建 郝长岭 禹继芳 
设计了一种低电压驱动的双稳态电磁型射频MEMS开关。与驱动电压高达几十伏的静电型射频MEMS开关相比,其驱动电压可低至几伏,因此应用时无需增加电荷泵等升压电路。开关可在磁场驱动下实现双稳态切换,稳态时无直流功率消耗。分析了工作...
关键词：微电子机械系统(MEMS) 射频开关 插入损耗 隔离度 测试 
射频MEMS开关中金属剥离工艺研究
《苏州市职业大学学报》2012年第2期10-13,共4页陈光红 吴清鑫 于映 罗仲梓 
国家青年基金资助项目(60301006);福建省自然科学基金资助项目(A0310012)
研究用BP212正性光刻胶(浸泡氯苯)、AZP4620正性光刻胶(浸泡氯苯)、AZ5214E反转光刻胶光刻后的图形剥离金属的难易度及图形质量.用扫描电镜(SEM)观察不同光刻胶及浸泡氯苯后的侧壁图形,并分析不同侧壁图形的形成机理,找出最佳工艺参数,...
关键词：BP212 AZP4620 AZ5214E 氯苯浸泡 剥离 
电容并联式射频MEMS开关的制作工艺探讨被引量：1
《空间电子技术》2011年第1期71-75,共5页王珊珊 王平 
文章对MEMS电容并联式射频开关的制作工艺进行了探讨,该射频开关采用双端固定的空气桥结构。通过实验,研究了精细共面波导图形的光刻工艺;采用正胶作为牺牲层,探讨了牺牲层的制作工艺,并分析了牺牲层释放方法对立体结构的影响。
关键词：RF—MEMS 开关 光刻 牺牲层 
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