吴清鑫

作品数：13被引量：70H指数：4
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供职机构：苏州市职业大学电子信息工程系更多>>
发文主题：射频MEMS开关氮化硅薄膜PECVD氮化硅力学性能更多>>
发文领域：电子电信电气工程理学文化科学更多>>
发文期刊：《科技资讯》《职业技术》《传感技术学报》《功能材料》更多>>
所获基金：福建省自然科学基金国家自然科学基金国家留学基金国家杰出青年科学基金更多>>
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高职微电子技术专业实验室的构建被引量：7
《实验室研究与探索》2012年第7期227-229,共3页陈伟元 吴清鑫 吴尘 金小华 
第一期江苏省职业教育教学改革研究重点自筹课题(ZCG43)
高职微电子专业实验室建设普遍面临因投入过大而无法实施的困境。基于工作岗位和人才培养目标的分析,提出了与核心工作岗位培养相适应,自建与企业共建相结合的微电子专业实验室的建设目标和建设方案,实施效果较显著。
关键词：微电子技术专业 集成电路 实验室建设 
射频MEMS开关中金属剥离工艺研究
《苏州市职业大学学报》2012年第2期10-13,共4页陈光红 吴清鑫 于映 罗仲梓 
国家青年基金资助项目(60301006);福建省自然科学基金资助项目(A0310012)
研究用BP212正性光刻胶(浸泡氯苯)、AZP4620正性光刻胶(浸泡氯苯)、AZ5214E反转光刻胶光刻后的图形剥离金属的难易度及图形质量.用扫描电镜(SEM)观察不同光刻胶及浸泡氯苯后的侧壁图形,并分析不同侧壁图形的形成机理,找出最佳工艺参数,...
关键词：BP212 AZP4620 AZ5214E 氯苯浸泡 剥离 
沉积温度对氮化硅薄膜力学性能的影响
《科技资讯》2011年第31期30-30,33,共2页吴清鑫 陈光红 
采用了等离子体增强化学气相沉积法(Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD),硅烷SiH4(用氮气N2稀释到12%)和纯氨气NH3作为反应气体在(100)硅片上生长氮化硅薄膜;采用表面轮廓仪(Dektak3 6M)测量氮化硅薄膜的残余应力;由XPS...
关键词：PECVD 氮化硅 沉积温度 残余应力 
自由集电极电位纵向PNP晶体管的制作工艺研究
《科技资讯》2010年第33期61-61,63,共2页吴清鑫 
自由集电极电位纵向PNP器件是双极型集成电路工艺中的一种重要器件,具有较大的放大倍数,较高工作特征频率等特点,但按照正常双极工艺制作的纵向晶体管存在基区宽度难以控制、集电极电阻偏大等问题。通过采用N阱技术和双层外延技术,不仅...
关键词：自由集电极电位纵向PNP晶体管 N阱技术 双层外延技术 
悬臂梁接触式RF MEMS开关的关键工艺研究被引量：1
《传感器与微系统》2009年第9期118-120,共3页吴清鑫 陈光红 于映 罗仲梓 
国家青年基金资助项目(60301006);福建省自然科学基金资助项目(A0310012)
采用厚度为2μm的Au制作成共平面波导（CPW）、聚酰亚胺作为牺牲层、PECVD法淀积Si3N4薄膜作为悬臂梁，制作成悬臂梁接触式RF MEMS开关。着重对开关的关键工艺-CPV的Au剥离工艺和悬臂梁制作工艺进行研究，讨论了工艺中存在的问题及其解...
关键词：射频MEMS开关 剥离 悬臂梁 制作工艺 
浅谈《电路分析基础》中“节点电位法”的教学
《职业技术》2009年第5期45-46,共2页吴清鑫 陈光红 
介绍了《电路分析基础》课程中"节点电位法"的适用范围、使用步骤、使用注意事项,举例说明学生在学习中经常出现的几种错误类型,在教学中通过一题多解的方法强化学生对节点电压法、网孔电流法的理解和应用。
关键词：节点电位法 网孔电流法 叠加定理 
对高职高专《模电》教学的几点思考被引量：4
《科技资讯》2008年第24期140-,共1页吴清鑫 陈光红 
描述了高职高专中《模电》教学的现状及存在的问题,就《模电》的理论讲解、实验及考核方式等提出了几点改进措施。
关键词：模电 高职高专 改进措施 
射频MEMS开关的研究被引量：1
《中国仪器仪表》2008年第8期37-39,共3页陈光红 吴清鑫 于映 罗仲梓 
国家基金青年基金(项目编号:60301006);福建省自然科学基金(项目编号:A0310012)
概述射频MEMS开关的研究背景及意义,介绍国内外射频MEMS开关的研究现状,列举出两种主要的射频MEMS开关:电容耦合并联式开关和金属-金属接触串联式开关的结构、工作原理、性能比较。
关键词：射频MEMS开关 金属-金属接触串联式 电容耦合并联式 
PECVD法生长氮化硅工艺的研究被引量：31
《功能材料》2007年第5期703-705,710,共4页吴清鑫 陈光红 于映 罗仲梓 
国家基金青年基金资助项目(60301006);福建省自然科学基金资助项目(A0310012)
采用了等离子体增强化学气相沉积法(plas-ma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应...
关键词：PECVD 氮化硅 聚酰亚胺 残余应力 射频MEMS开关 
微机电系统(MEMS)中薄膜力学性能的研究
《中国仪器仪表》2007年第5期49-51,共3页陈光红 吴清鑫 于映 罗仲梓 
国家基金青年基金(60301006);福建省自然科学基金(A0310012);国家留学基金项目资助
主要介绍微机电系统(MEMS)中几种测量薄膜力学性能的方法,如纳米压入法、单轴拉伸法、基底弯曲法、微旋转结构法,比较了各种方法的优缺点。这对MEMS器件的设计与研究具有重要意义。
关键词：薄膜 力学性能 微旋转结构法 MEMS 
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