自由集电极电位纵向PNP晶体管的制作工艺研究  

作　　者：吴清鑫[1] 

机构地区：[1]苏州市职业大学电子信息工程系,江苏苏州215104

出　　处：《科技资讯》2010年第33期61-61,63,共2页Science & Technology Information

摘　　要：自由集电极电位纵向PNP器件是双极型集成电路工艺中的一种重要器件,具有较大的放大倍数,较高工作特征频率等特点,但按照正常双极工艺制作的纵向晶体管存在基区宽度难以控制、集电极电阻偏大等问题。通过采用N阱技术和双层外延技术,不仅可以增强器件制作工艺的可控性,而且可大大减小纵向晶体管的集电极电阻,从而提高器件的输出功率。

关 键 词：自由集电极电位纵向PNP晶体管 N阱技术 双层外延技术 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]