沉积温度对氮化硅薄膜力学性能的影响  

作　　者：吴清鑫[1] 陈光红[1] 

机构地区：[1]苏州市职业大学电子信息工程系,江苏苏州215104

出　　处：《科技资讯》2011年第31期30-30,33,共2页Science & Technology Information

摘　　要：采用了等离子体增强化学气相沉积法(Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD),硅烷SiH4(用氮气N2稀释到12%)和纯氨气NH3作为反应气体在(100)硅片上生长氮化硅薄膜;采用表面轮廓仪(Dektak3 6M)测量氮化硅薄膜的残余应力;由XPS测得氮化硅薄膜的氮硅比。讨论沉积温度对氮化硅薄膜残余应力的影响,并分析其原因。

关 键 词：PECVD 氮化硅 沉积温度 残余应力 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]