fmax=325GHz的多指共基极InGaAs／InPDHBT  

Common-base Multi-finger InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor with f_(max) of 325 GHz

作　　者：程伟[1] 赵岩[1] 王元[1] 陆海燕[1] 高汉超[1] 陈辰[1] 杨乃彬[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2011年第5期F0003-F0003,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：数字化和高频化是现代雷达和通信系统的两个重要发展方向。InPDHBT具有十分优异的高频特性、良好的器件一致性、高线性度以及极低的1／f噪声等优点，因而在超高速数模混合电路、毫米波／亚毫米波单片集成电路方面具有广阔应用前景。南京电子器件研究所基于76．2mm圆片工艺，研制出fmax达325GHz的四指共基极InPDHBT器件，击穿电压大于10V。

关 键 词：INGAAS 共基极 毫米波单片集成电路 南京电子器件研究所 数模混合电路 1/f噪声 HBT器件 通信系统 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]