基于InP的HBT的低温、高电流寿命试验  

出　　处：《电子产品可靠性与环境试验》2003年第1期67-67,共1页Electronic Product Reliability and Environmental Testing

关 键 词：INP 磷化铟 寿命试命 AlInAs/GaInAs HBT器件 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]