云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 徐安怀

徐安怀: 作品数：28被引量：26H指数：2; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>; 发文主题：INPDHBT磷化铟异质结双极晶体管气态源分子束外延更多>>; 发文领域：电子电信理学化学工程一般工业技术更多>>; 发文期刊：《红外与毫米波学报》《硅酸盐学报》《稀有金属》《物理学报》更多>>; 所获基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院重点实验室基金更多>>

InyAl1-yAs线性渐变缓冲层对InP基HEMT材料性能的影响: 《红外与毫米波学报》2022年第4期726-732,共7页田方坤艾立鹍孙国玉徐安怀黄华龚谦齐鸣; Supported by National Natural Science Foundation of China(61434006)。; 采用气体源分子束外延(GSMBE)技术,研究了InP衬底上InAlAs线性渐变缓冲层对InGaAs/InAlAs高迁移率晶体管(HEMT)材料特性影响。研究了不同厚度和不同铟含量的InAlAs线性渐变缓冲层对材料的表面质量、电子迁移率和二维电子气浓度的影响。...; 关键词：InyAl1-yAs线性渐变缓冲层磷化铟高电子迁移率场效应晶体管

用于InP基DHBT制备的GaAs_(0.51)Sb_(0.49)湿法腐蚀研究(英文): 《电子器件》2011年第1期12-16,共5页孙浩齐鸣艾立鹍徐安怀滕腾朱福英; National Basic Research Program of China(2010CB327502);National Natual Science Foundation of China(60676022); 介绍了采用基于柠檬酸、硫酸和磷酸的腐蚀溶液对气态分子束外延生长的InP衬底上GaAs0.51Sb0.49湿法腐蚀研究工作。对不同体积比的腐蚀溶液的腐蚀速率和表面粗糙度进行了研究。和硫酸及磷酸基腐蚀液相比,柠檬酸/双氧水腐蚀液的腐蚀速率...; 关键词：镓砷锑湿法腐蚀磷化铟双异质结晶体管

InP基RTD特性的数值模拟研究被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2010年第3期317-322,332,共7页王伟孙浩孙晓玮徐安怀齐鸣; 国家自然科学基金资助项目(60676062); 采用基于非平衡格林函数法(Non-equilibrium Green’s function,NEGF)量子输运模拟器WinGreen对InP基共振隧穿二极管(RTD)的输运特性进行了计算模拟,分析了Ga0.47In0.53As/AlAs以及富In组份势阱双势垒结构几何参数、散射参数、发射区和...; 关键词：磷化铟基共振隧穿二极管电流-电压特性非平衡格林函数法散射

新结构InGaP/GaAs/InGaP DHBT生长及特性研究被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2010年第1期23-26,68,共5页艾立鹍徐安怀孙浩朱福英齐鸣; 国家自然科学基金项目(60676062);国家重点基础研究发展计划(973)项目(2010CB327502);中科院上海微系统所青年创新基金项目(2009QNCX05); 设计并生长了一种新的InGaP/GaAs/InGaP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入n+-InGaP插入层结构,以解决InGaP/GaAs/InGaP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质...; 关键词：双异质结双极晶体管气态源分子束外延砷化镓

一种f_t为176GHz、大电流多指结构的InGaAs/InP异质结双极晶体管(英文)被引量：1: 《红外与毫米波学报》2009年第2期81-84,共4页金智程伟刘新宇徐安怀齐鸣; The project is partly supported by the National Basic Research Program of China(2002CB311902); 针对毫米波电路对大电流、高截止频率器件的要求,利用平坦化技术,设计并制作成功了结构紧凑的四指合成InGaAs/InP异质结双极晶体管.实验结果表明发射极的宽度可减小到1μm.Kirk电流可达到110mA,电流增益截止频率达到176GHz.这种器件有...; 关键词：INP 异质结双极晶体管高电流高频

A Submicron InGaAs/InP Heterojunction Bipolar Transistor with f_t of 238GHz: 《Journal of Semiconductors》2008年第10期1898-1901,共4页金智程伟刘新宇徐安怀齐鸣; 国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2002CB311902)~~; A non-micro-air-bridge InP-based heterojunction bipolar transistor （HBT） is fabricated. A very small emitter side etching （〈100nm） is developed and makes a submicron InP-based HBT possible. The current gain cutof...; 关键词：lnP heterojunction bipolar transistor PLANARIZATION high frequency

GaAs/InGaP异质界面的湿法腐蚀被引量：2: 《功能材料与器件学报》2008年第3期634-638,共5页林玲王伟徐安怀孙晓玮齐鸣; 国家重点基础研究规划(973)项目(No.2002C311902);国家自然科学基金项目(No.60676062); 对柠檬酸系、盐酸系溶液腐蚀GaAs/InGaP异质结构材料体系时出现的腐蚀不均匀现象进行了实验研究,采用原子力显微镜(AFM)、电子显微镜、台阶仪等分析了不同腐蚀条件下GaAs/InGaP异质界面的腐蚀形貌,找到了简单有效的办法,可获得很好的表...; 关键词：湿法腐蚀 GAAS INGAP 柠檬酸

Ultra High-Speed InP/InGaAs SHBTs with f_t of 210GHz被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2008年第3期414-417,共4页程伟金智刘新宇于进勇徐安怀齐鸣; PolYimide passivation and planarization process techniques for high speed InP/InGaAs single heterojunction bipolar transistors （SHBTS） are developed. A maximum extrapolated ft of 210GHz is achieved for the SHBT with...; 关键词：INP HBT POLYIMIDE PLANARIZATION

带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2008年第1期138-141,148,共5页艾立鹍徐安怀孙浩朱福英齐鸣; 国家重点基础研究规划(973)项目(批准号:2002CB311902);国家自然科学基金项目(批准号:60676062); 设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)...; 关键词：双异质结双极晶体管气态源分子束外延磷化铟阶梯缓变集电区

重碳掺杂p型GaAsSb的GSMBE生长及其特性被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2007年第11期1765-1768,共4页孙浩齐鸣徐安怀艾立鹍朱福英; 国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311902);国家自然科学基金(批准号:60676062)资助项目~~; 以四溴化碳(CBr4)作为碳掺杂源,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长了InP衬底上晶格匹配的重碳掺杂p型GaAsSb材料.通过改变CBr4压力,研究了掺杂浓度在(1～20)×1019cm-3范围内的掺杂特性,得到的最大掺杂浓度为2.025×1020cm-3,相应的...; 关键词：异质结双极晶体管 INP GAASSB 碳掺杂气态源分子束外延

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