艾立鹍

作品数：9被引量：9H指数：2
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供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：磷化铟气态源分子束外延INPDHBT双异质结双极晶体管更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
发文期刊：《红外与毫米波学报》《物理学报》《电子器件》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划博士科研启动基金更多>>
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InyAl1-yAs线性渐变缓冲层对InP基HEMT材料性能的影响
《红外与毫米波学报》2022年第4期726-732,共7页田方坤 艾立鹍 孙国玉 徐安怀 黄华 龚谦 齐鸣 
Supported by National Natural Science Foundation of China(61434006)。
采用气体源分子束外延(GSMBE)技术,研究了InP衬底上InAlAs线性渐变缓冲层对InGaAs/InAlAs高迁移率晶体管(HEMT)材料特性影响。研究了不同厚度和不同铟含量的InAlAs线性渐变缓冲层对材料的表面质量、电子迁移率和二维电子气浓度的影响。...
关键词：InyAl1-yAs线性渐变缓冲层 磷化铟 高电子迁移率场效应晶体管 
磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计被引量：3
《物理学报》2022年第3期284-291,共8页周书星 方仁凤 魏彦锋 陈传亮 曹文彧 张欣 艾立鹍 李豫东 郭旗 
国家自然科学基金(批准号:11705277,61434006);湖北文理学院博士科研启动基金(批准号:kyqdf2059038)资助的课题.
为研究磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)外延结构材料的抗电子辐照加固设计的效果,本文采用气态源分子束外延法制备了系列InP HEMT外延结构材料.针对不同外延结构材料开展了1.5 MeV电子束辐照试验,在辐照注量为2×10^(15)cm^(-2)条件...
关键词：磷化铟高电子迁移率晶体管 二维电子气 电子束辐照 辐射加固 
不同能量和注量电子辐照对InP HEMT材料电学特性影响被引量：4
《原子能科学技术》2021年第12期2274-2281,共8页周书星 方仁凤 陈传亮 张欣 魏彦锋 曹文彧 类淑来 艾立鹍 
Supported by National Natural Science Foundation of China(11705277,61434006);Doctoral Researchof Hubei University of Arts and Science(kyqdf2059038)。
本文采用气态源分子束外延法(GSMBE)制备了匹配型InGaAs/InAlAs磷化铟基高电子迁移率器件(InP HEMT)外延结构材料。针对该外延结构材料开展了不同能量和注量电子束辐照试验,测试了InP HEMT外延结构材料二维电子气(2DEG)辐照前后的电学特...
关键词：InP HEMT 二维电子气 电子辐照 位移损伤 
用于InP基DHBT制备的GaAs_(0.51)Sb_(0.49)湿法腐蚀研究(英文)
《电子器件》2011年第1期12-16,共5页孙浩 齐鸣 艾立鹍 徐安怀 滕腾 朱福英 
National Basic Research Program of China(2010CB327502);National Natual Science Foundation of China(60676022)
介绍了采用基于柠檬酸、硫酸和磷酸的腐蚀溶液对气态分子束外延生长的InP衬底上GaAs0.51Sb0.49湿法腐蚀研究工作。对不同体积比的腐蚀溶液的腐蚀速率和表面粗糙度进行了研究。和硫酸及磷酸基腐蚀液相比,柠檬酸/双氧水腐蚀液的腐蚀速率...
关键词：镓砷锑 湿法腐蚀 磷化铟 双异质结晶体管 
新结构InGaP/GaAs/InGaP DHBT生长及特性研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2010年第1期23-26,68,共5页艾立鹍 徐安怀 孙浩 朱福英 齐鸣 
国家自然科学基金项目(60676062);国家重点基础研究发展计划(973)项目(2010CB327502);中科院上海微系统所青年创新基金项目(2009QNCX05)
设计并生长了一种新的InGaP/GaAs/InGaP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入n+-InGaP插入层结构,以解决InGaP/GaAs/InGaP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质...
关键词：双异质结双极晶体管 气态源分子束外延 砷化镓 
带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2008年第1期138-141,148,共5页艾立鹍 徐安怀 孙浩 朱福英 齐鸣 
国家重点基础研究规划(973)项目(批准号:2002CB311902);国家自然科学基金项目(批准号:60676062)
设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)...
关键词：双异质结双极晶体管 气态源分子束外延 磷化铟 阶梯缓变集电区 
重碳掺杂p型GaAsSb的GSMBE生长及其特性被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第11期1765-1768,共4页孙浩 齐鸣 徐安怀 艾立鹍 朱福英 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311902);国家自然科学基金(批准号:60676062)资助项目~~
以四溴化碳(CBr4)作为碳掺杂源,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长了InP衬底上晶格匹配的重碳掺杂p型GaAsSb材料.通过改变CBr4压力,研究了掺杂浓度在(1～20)×1019cm-3范围内的掺杂特性,得到的最大掺杂浓度为2.025×1020cm-3,相应的...
关键词：异质结双极晶体管 INP GAASSB 碳掺杂 气态源分子束外延 
InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期182-185,共4页齐鸣 徐安怀 艾立鹍 孙浩 朱福英 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2002CB311902)
通过对外延材料结构设计和GSMBE生长工艺的深入研究,解决了生长InP基及含磷化合物HBT外延材料的关键问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的φ50mm InP基HBT和φ100mm InGaP/GaAs HBT外延材料.所发展的GSMBE外延技术,在A...
关键词：InP INGAP GaAs GSMBE HBT 
带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第8期1431-1435,共5页孙浩 齐鸣 徐安怀 艾立鹍 苏树兵 刘新宇 刘训春 钱鹤 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2002CB311902)~~
设计了一种新结构InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT),在集电区与基区之间插入n+-InP层,以降低集电结的导带势垒尖峰,克服电流阻挡效应.采用基于热场发射和连续性方程的发射透射模型,计算了n+-InP插入层掺杂浓度和厚度对InP/InGaAs...
关键词：INP/INGAAS 异质结双极晶体管 复合集电区 掺杂 势垒尖峰 
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