双异质结双极晶体管

作品数：13被引量：11H指数：2
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：齐鸣徐安怀艾立鹍孙浩李献杰更多>>
相关机构：中国科学院中国电子科技集团第十三研究所浙江工业大学中国科学院微电子研究所更多>>
相关期刊：《微波学报》《物理学报》《红外与毫米波学报》《半导体技术》更多>>
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基于InP DHBT工艺的33~170 GHz共源共栅放大器被引量：1
《红外与毫米波学报》2023年第2期197-200,共4页王伯武 于伟华 侯彦飞 余芹 孙岩 程伟 周明 
Supported by National Natural Science Foundation of China(61771057)。
基于500 nm磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT)工艺,设计了一种工作在33~170 GHz频段的超宽带共源共栅功率放大器。输入端和输出端的平行短截线起到变换阻抗和拓展带宽的作用,输出端紧密相邻的耦合传输线补偿了一部分高频传输损耗。测...
关键词：磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT) 单片微波集成电路(MMIC) 共源共栅放大器 宽带 
InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管设计被引量：2
《固体电子学研究与进展》2022年第3期184-190,219,共8页刘涛 刘燚 王冯涛 
云南省基础研究项目(210301004);国家级大学生创新创业训练重点项目(20200108Z)。
应用半导体器件的电阻电容计算理论和SILVACO ATLAS软件,在综合考虑载流子渡越时间和电阻电容延迟时间对增益截止频率的影响下设计了一种InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)结构。该结构中在基区与发射区之间加入P...
关键词：双异质结双极晶体管(DHBT) InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP 渐变材料 梯度掺杂 
基于InP DHBT 220 GHz高增益功率放大器TMIC设计
《微波学报》2018年第A01期263-265,共3页黎雨坤 张勇 李骁 陈亚培 靳赛赛 崔建行 
基于0.5μmInPDHBT工艺设计了一款工作在220GHz的两级太赫兹单片集成电路。该电路采用共发射极共基级结构与薄膜微带线工艺,保证了该功率放大器具有紧凑的结构的同时又具有较高的增益,该功率放大器芯片面积为1400μm×1400μm,在215～22...
关键词：磷化铟双异质结双极晶体管 太赫兹单片集成电路 功率放大器 共发射极共基级 
基区As组分缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP DHBT热电性能的影响
《半导体技术》2014年第2期119-123,共5页周星宝 周守利 
浙江省自然科学基金资助项目(LY12F04003);现代通信与网络系统科技创新自主设计项目(2010R50011-13)
基于非等温能量平衡传输模型,利用SILVACO/ATLAS数值计算软件,研究了四种不同基区As组分的缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)热电特性的影响。结果表明,As组分缓变的引入改善了器件的直流增益和特征频率,但同时器件...
关键词：INP INGAP GAASSB INP 双异质结双极晶体管(DHBT) 缓变发射结 缓变基区 热电特性 
InAlAs/GaSbAs/InP DHBT与InP/GaSbAs/InPDHBT性能比较分析被引量：1
《物理学报》2012年第12期572-577,共6页周守利 杨万春 任宏亮 李伽 
信息功能材料国家重点实验室2009开放基金(批准号:FMI2009-08);湖南省教育厅项目(批准号:09C959);湖南省科技厅项目(批准号:2010TY2003);浙江省自然科学基金(批准号:LY12F04003)资助的课题~~
双异质结双极晶体管(DHBT)的性能与发射区-基区(E-B)异质结和基区-集电区(B-C)异质结的能带突变类型关系密切,本文基于热场发射-扩散模型,对两类不同能带结构类型的新型DHBT的性能做了比较分析.结论表明:与作为当今研究热点的E-B和B-C...
关键词：InAlAs/GaSbAs InP/GaSbAs Ⅱ型双异质结双极晶体管 
f_T=140GHz,f_(max)=200GHz的超高速InP DHBT被引量：2
《半导体技术》2011年第10期743-746,共4页蔡道民 李献杰 赵永林 刘跳 高向芝 郝跃 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB327603)
InP/InGaAs/InP DHBT具有频带宽、电流驱动能力强、线性好、相位噪声低和阈值电压一致性好等优点成为研究热点。通过优化外延材料结构设计和采用四元InGaAsP缓变层消除集电结电流阻塞效应;改进发射极-基极自对准工艺和集电区台面侧向腐...
关键词：双异质结双极晶体管(DHBT) 缓变层 发射极-基极自对准 空气桥 侧向腐蚀 
新结构InGaP/GaAs/InGaP DHBT生长及特性研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2010年第1期23-26,68,共5页艾立鹍 徐安怀 孙浩 朱福英 齐鸣 
国家自然科学基金项目(60676062);国家重点基础研究发展计划(973)项目(2010CB327502);中科院上海微系统所青年创新基金项目(2009QNCX05)
设计并生长了一种新的InGaP/GaAs/InGaP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入n+-InGaP插入层结构,以解决InGaP/GaAs/InGaP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质...
关键词：双异质结双极晶体管 气态源分子束外延 砷化镓 
InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅱ)被引量：1
《半导体技术》2009年第9期821-827,共7页齐志华 李献杰 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB314901)
关键词：GaAsSb/InP 双异质结双极晶体管 技术发展现状 欧姆接触电极 INGAAS 化学腐蚀工艺 Pt/Ti 制作工艺 
InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅰ)
《半导体技术》2009年第8期721-725,共5页齐志华 李献杰 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB314901)
InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAsSHBT与InP/InGaAs/InPDHBT等显示出极大的优越性。对InP/GaAsSb/InPⅡ型DHBT技术的提出、外延层结构设计与...
关键词：GaAsSb/InP 双异质结双极晶体管 单异质结双极晶体管 Ⅱ型双异质结双极晶体管 微空气桥 
带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2008年第1期138-141,148,共5页艾立鹍 徐安怀 孙浩 朱福英 齐鸣 
国家重点基础研究规划(973)项目(批准号:2002CB311902);国家自然科学基金项目(批准号:60676062)
设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)...
关键词：双异质结双极晶体管 气态源分子束外延 磷化铟 阶梯缓变集电区 
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