InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅱ)  

Status of InP/GaAsSb/InP Double Heterojunction Bipolar Transistors Technology

作　　者：齐志华[1] 李献杰[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051

出　　处：《半导体技术》2009年第9期821-827,共7页Semiconductor Technology

基　　金：国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB314901)

关 键 词：GaAsSb/InP 双异质结双极晶体管 技术发展现状 欧姆接触电极 INGAAS 化学腐蚀工艺 Pt/Ti 制作工艺 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学] TN304.26