齐志华

作品数:6被引量:5H指数:1
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供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题:INP双异质结双极晶体管校准方法校准电子设备更多>>
发文领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊:《微处理机》《半导体技术》《电子工业专用设备》《中国电子科学研究院学报》更多>>
所获基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国防科技重点实验室基金更多>>
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GaN MMIC六位数字衰减器的设计被引量:1
《半导体技术》2021年第12期921-925,共5页齐志华 谢媛媛 
基于GaN HEMT工艺成功研制出一款宽带六位数字衰减器,衰减范围为0~31.5 dB。通过研究GaN HEMT开关器件模型及电阻式衰减网络,选取合适的衰减器拓扑,减小了衰减器的插入损耗,提高了衰减精度,缩小了芯片尺寸。测试结果表明,在2~18 GHz频带...
关键词:GAN 高电子迁移率晶体管(HEMT) 微波单片集成电路(MMIC) 数字衰减器 宽带 
扭摆式MEMS电容加速度计动态性能分析被引量:1
《微处理机》2021年第4期33-37,共5页齐志华 张志勇 
针对扭摆式MEMS电容加速度计的结构及功能特点,建立系统特征模型,从检测质量、弹性梁、固定端和检测电极等方面详细探讨器件工作原理及动态性能,并通过数学推导得出系统刚度、转动惯量、扭转系数和阻尼系数的解析公式。针对一组特定的...
关键词:MEMS器件 扭摆式加速度计 压膜阻尼 雷诺方程 动态性能 
AlN单晶衬底的制备及研究进展
《电子工业专用设备》2021年第3期1-7,共7页齐志华 
氮化铝(AlN)作为直接带隙半导体且禁带宽度为6.2 eV,使其在深紫外光电子器件(如半导体激光器、日盲光探测器等)、高频大功率射频器件等领域具有广泛的应用前景,而高性能器件的实现需要高质量AlN衬底作为基础。对AlN材料的基本性质进行...
关键词:氮化铝(AlN) 物理气相传输法(PVT) 氢化物气相外延法(HVPE) 基本元素气相沉积法(EVPE) 
InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅱ)被引量:1
《半导体技术》2009年第9期821-827,共7页齐志华 李献杰 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB314901)
关键词:GaAsSb/InP 双异质结双极晶体管 技术发展现状 欧姆接触电极 INGAAS 化学腐蚀工艺 Pt/Ti 制作工艺 
InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅰ)
《半导体技术》2009年第8期721-725,共5页齐志华 李献杰 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB314901)
InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAsSHBT与InP/InGaAs/InPDHBT等显示出极大的优越性。对InP/GaAsSb/InPⅡ型DHBT技术的提出、外延层结构设计与...
关键词:GaAsSb/InP 双异质结双极晶体管 单异质结双极晶体管 Ⅱ型双异质结双极晶体管 微空气桥 
不同熔体配比InP材料中的缺陷研究被引量:2
《中国电子科学研究院学报》2007年第4期354-359,共6页齐志华 李昌青 孙聂枫 
国防重点实验室基金项目(9140C0601040602);国家自然基金项目(60276008)
采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内分别合成了富铟、近化学配比、富磷的InP熔体,利用液封直拉法(LEC)分别从不同化学计量比条件下的InP熔体中生长InP单晶材料。对材料分别进行了室温Hall,变温Hall的测试。结果表明富磷熔体条件下具有...
关键词:磷化铟 配比 缺陷 
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