欧姆接触电极

作品数：17被引量：29H指数：3
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相关机构：西安电子科技大学中国科学院浙江大学中国电子科技集团第十三研究所更多>>
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氮化镓功率电子器件上欧姆接触电极研究进展被引量：2
《科技创新与应用》2023年第4期36-38,42,共4页郑文浩 田野 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0404201);国家自然科学基金资助项目(61774147)。
GaN基功率电子器件已经被应用在电子产品、电气设备和充电器等领域。如何进一步提高现有GaN基功率器件性能是接下来研究的重点。其中,金属/GaN界面上较大的欧姆接触电阻一直是影响器件性能及可靠性的一个问题。该文综述总结近年来在GaN...
关键词：GAN 欧姆接触 功率电子器件 无金欧姆接触 研究进展 
n-GaN上Au/Zr和Au/Ti金属电极的界面反应和金属间互扩散行为对比研究被引量：1
《材料导报》2022年第21期120-125,共6页张可欣 李庚伟 杨少延 魏洁 
国家自然科学基金(61774147);南京佑天金属科技有限公司技术开发项目(Y8H1020M00)。
电极接触是制作半导体器件中非常重要的问题。金属电极与半导体形成的欧姆接触是器件高效率、低功耗服务的保障,直接影响了器件性能的优劣。前人关于欧姆接触的研究主要集中在金属电极体系和处理条件的选择,寻求比接触电阻率最低的方案...
关键词：N型GAN Au/Zr欧姆接触电极 互扩散行为 界面反应 
GaN基低温无金欧姆接触电极制备及应用被引量：1
《光学与光电技术》2018年第6期71-77,共7页李祈昕 周泉斌 刘晓艺 王洪 
广东省应用型科技研发专项资金重大项目(2015B010127013;2016B010123004;2017B010112003);广州市产学研协同创新重大专项(201504291502518;201604046021);中山市科技发展专项(2017F2FC0002;2017A1007)资助项目
制备了一种与Si-CMOS工艺线兼容的AlGaN/GaN HEMTs低温无金欧姆接触电极,分析了欧姆前刻槽深度和退火合金条件对Si基AlGaN/GaN异质结无金欧姆接触特性的影响。系统研究了具有不同欧姆前刻槽深度、不同退火条件的AlGaN/GaN异质结的Ti/Al/...
关键词：氮化镓基高电子迁移率晶体管 无金欧姆接触 低温合金 欧姆前刻槽 退火工艺 
InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅱ)被引量：1
《半导体技术》2009年第9期821-827,共7页齐志华 李献杰 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB314901)
关键词：GaAsSb/InP 双异质结双极晶体管 技术发展现状 欧姆接触电极 INGAAS 化学腐蚀工艺 Pt/Ti 制作工艺 
p-GaN表面制备低阻欧姆接触电极的几个关键问题被引量：3
《功能材料》2008年第1期6-8,11,共4页李鸿渐 石瑛 蒋昌忠 
国家自然科学基金资助项目(10675094;10205010;10435060)
优良的光电特性使得GaN材料成为当今半导体器件研究领域的热点,但高功函数和低载流子浓度使p-GaN表面难以制备低阻欧姆接触电极、严重妨害了GaN基器件的热稳定性和输出功率。如何制备具有低阻欧姆接触特性的p-GaN电极已成为一个关键的...
关键词：P-GAN 欧姆接触 表面处理 退火 电阻率 
高反射率p-GaN欧姆接触电极被引量：5
《发光学报》2006年第1期75-79,共5页康香宁 章蓓 胡成余 王琦 陈志忠 张国义 
国家"863"计划(2001AA313110;2001AA313060;2001AA313140);北京市科技项目(H030430020230);国家自然科学基金(60276034;50228202);集成光电子国家联合重点实验室开放课题资助项目
根据光学薄膜原理计算了GaN/Ti/Ag、GaN/Al和GaN/Ni/Au/Ti/Ag、GaN/Ni/Au/Al多层电极结构的反射率,得出Ag基和Al基反射电极均能在全角范围内提供较高的反射率。实验测量结果表明,反射率能高于80%的Ag基反射电极,具有低欧姆接触的电学特...
关键词：P-GAN 欧姆接触 反射电极 两步合金法 激光剥离 垂直结构LED 
应用於覆晶式紫外光发光二极体之低电阻、高热稳定及高反射欧姆接触电极之研究
《光學工程》潘昌吉(Chang-Chi Pan) 陳冠廷(Guan-Ting Chen) 陳銘勝(Ming-Shung Chen) 方啟鑫(Chi-Shin Fang) 綦振瀛(Jen-Inn Chyi) 
Low contact resistance, high reflectivity and high thermal stability multilayer ohmic contacts to n and p-type GaN for flip-chip ultraviolet light-emitting diodes have been demonstrated. For n-type ohmic contacts, spe...
关键词：氮化鎵 覆晶式紫外光發光二極體 歐姆接觸 
PTCR欧姆接触电极制备方法现状被引量：3
《仪表技术与传感器》2004年第12期8-10,共3页郝永德 熊炫 钟海波 周东祥 
从半导瓷和金属电极的欧姆接触理论出发 ,详细的叙述了PTCR欧姆接触电极的各种主要制备方法。通过对这些方法的优缺点的分析 ,指出磁控溅射法由于具有制备工艺简单、无工业污染、电极成本低廉、膜层致密均匀、附着力强等优点 ,将在PTCR...
关键词：PTCR 欧姆接触电极 磁控溅射 
CdZnTe晶体欧姆接触电极的制备工艺研究被引量：2
《功能材料》2004年第z1期1215-1218,共4页陈继权 孙金池 李阳平 刘正堂 
国防基础研究资助项目(J1500E002)
高阻CdZnTe晶体是X射线及γ射线探测最优秀的材料.制备CdZnTe探测器最关键的技术之一就是在CdZnTe表面制备出欧姆接触薄膜电极.关于在CdZnTe晶体表面制备接触电极用导电薄膜,大都是采用蒸发镀膜技术,膜层与CdZnTe晶体结合不很牢固.本论...
关键词：碲锌镉 欧姆接触 薄膜 磁控溅射 
电极对PTCR热敏电阻常温断续负荷的影响
《现代技术陶瓷》2000年第4期3-5,共3页关旭迎 周东祥 姜胜林 龚树萍 
本文研究了在彩电消磁用PTCR热敏电阻分别烧渗Ag-Zn电极和Al电极,研究了两种电极对PTCR元件常温断续负荷的影响,分析了失效机理,根据结果我们选取合适的电极作为实际生产中的电极。
关键词：PTCR元件 欧姆接触电极 热敏电阻 铝电极 银锌电极 负荷 
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