N型GAN

作品数：19被引量：31H指数：3
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相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：张国义秦志新张利民张小东赵旺更多>>
相关机构：中国科学院北京大学兰州大学三菱化学株式会社更多>>
相关期刊：《高技术通讯》《发光学报》《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
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n-GaN上Au/Zr和Au/Ti金属电极的界面反应和金属间互扩散行为对比研究被引量：1
《材料导报》2022年第21期120-125,共6页张可欣 李庚伟 杨少延 魏洁 
国家自然科学基金(61774147);南京佑天金属科技有限公司技术开发项目(Y8H1020M00)。
电极接触是制作半导体器件中非常重要的问题。金属电极与半导体形成的欧姆接触是器件高效率、低功耗服务的保障,直接影响了器件性能的优劣。前人关于欧姆接触的研究主要集中在金属电极体系和处理条件的选择,寻求比接触电阻率最低的方案...
关键词：N型GAN Au/Zr欧姆接触电极 互扩散行为 界面反应 
n型GaN过渡族难熔金属欧姆电极对比被引量：2
《物理学报》2019年第20期234-239,共6页何天立 魏鸿源 李成明 李庚伟 
国家重点研发计划(批准号:2017YFB0404201);国家自然科学基金(批准号:61774147,61504128)资助的课题~~
研究了过渡族难熔金属Hf体系Hf/Al电极在不同退火条件下与In型GaN的欧姆接触特性,并与Ti基Ti/Al电极进行了对比.采用圆点型传输线模型测量了Hf/Al和Ti/Al电极的比接触电阻率.结果表明,同等退火条件下的Hf/Al电极,相比于传统Ti/Al电极,...
关键词：N型GAN 欧姆接触 快速热退火 铪 
重掺杂n型GaN材料特性研究被引量：1
《半导体光电》2016年第4期499-504,共6页张云龙 韩军 邢艳辉 郭立建 王凯 于保宁 
国家自然科学基金项目(61204011;11204009);北京市自然科学基金项目(4142005);北京市教委能力提升项目(PXM2014_014204_07_000018)
采用金属有机化合物气相外延方法制备了不同SiH_4流量下重掺杂n型GaN材料,研究发现在SiH_4流量为20cm^3/min时样品获得较高的电子浓度,达到6.4×10^(19) cm^(-3),同时材料的结晶质量较好。光荧光测试发现重掺杂使GaN材料的杂质能带进入...
关键词：MOCVD 重掺杂n型GaN 光电特性 缺陷选择性腐蚀 
两种不同结构n型GaN基肖特基二极管电学特性
《半导体光电》2010年第2期213-216,共4页于国浩 付凯 陆敏 苑进社 
国家自然科学基金项目(10875084);江苏省自然科学基金项目(BK2008174);苏州应用基础研究计划项目(SYJG0915);国家重点基础研究专项经费项目(G2009CB929300)
实验研究了两种由ICP刻蚀不同结构的n型GaN材料与金属接触形成的肖特基二极管的I-V特性,分析计算了GaN基肖特基二极管的势垒高度和理想因子。研究发现n型GaN半导体材料表面费米能级钉扎,且费米能级的钉扎对n型GaN材料表面的金半接触所...
关键词：n型GaN薄膜 肖特基二极管 伏安特性 
n型GaN欧姆接触的研究进展被引量：1
《红外》2009年第8期1-8,共8页王忆锋 唐利斌 
Ⅲ-Ⅴ族GaN基材料以其在紫外光子探测器、发光二极管、高温及大功率电子器件等方面的应用潜能而被广为研究。其中,低阻欧姆接触是提高GaN基器件光电性能的关键。金属/GaN界面上较大的欧姆接触电阻一直是影响器件性能及可靠性的一个问题...
关键词：GAN 欧姆接触 紫外光子探测器 发光二极管 高电子迁移率晶体管 异质结场效应晶体管 
淀积在不同小倾角蓝宝石衬底的n型GaN的研究
《物理学报》2009年第4期2644-2648,共5页邢艳辉 韩军 邓军 李建军 沈光地 
国家高技术研究发展计划(863)(批准号:SQ2007AA03Z431230);北京市教育委员会科技发展计划(批准号:KM200810005002)资助的课题~~
采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°—0.3°)的蓝宝石衬底上外延n型GaN.通过原子力显微镜观察到n型GaN均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的n型GaN表面台阶朝向相同、分布均匀,明显地看到在0°倾角衬底的n型GaN表面由台阶...
关键词：金属有机物化学淀积 氮化物 原子力显微镜 光致发光 
n型GaN薄膜输运性质与发光研究被引量：2
《中国科学（G辑）》2008年第9期1221-1227,共7页张曾 张荣 谢自力 刘斌 修向前 江若琏 韩平 顾书林 施毅 郑有炓 
国家重点基础研究发展计划(编号:2006CB6049);国家高技术研究发展计划(编号:2006AA03A142);国家自然科学基金(批准号:60721063,60731160628,60676057);教育部重大项目(编号:10416);高等学校博士学科点专项科研基金(编号:20050284004);江苏省自然科学基金(编号:BK2005210)资助项目
系统研究了掺Si的n型GaN的表面形貌、电学性质和光学性质.GaN薄膜采用金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)制备,通过选择不同掺杂流量的SiH4,使n型载流子浓度变化范围为3×1016~5.4×1018cm-3.原子力显微镜研究发现随掺杂浓度的增加样品表...
关键词：N型GAN 表面形貌 霍尔效应 光致发光 
O、C离子注入n型GaN的黄光发射研究被引量：1
《核技术》2008年第8期595-599,共5页张利民 张小东 尤伟 王文秀 葛琴 刘正民 
国家自然科学基金(10605011)资助
采用光致发光（Photoluminescence，PL）谱的测量，研究了10^13-10^17cm^-2。的O和C两种离子注入和退火对非有意掺杂的n型GaN黄光发射（Yellow luminescence，YL）的影响，注入后的样品在流动N2的保护下进行退火，退火温度950℃，退火时...
关键词：GAN 离子注入 光致发光谱 
MOVPE低温生长的n型GaN电学特性研究被引量：2
《物理学报》2008年第9期5923-5927,共5页汪莱 张贤鹏 席光义 赵维 李洪涛 江洋 韩彦军 罗毅 
国家自然科学基金(批准号:60536020,60390074);国家重点基础研究发展计划(973)(批准号:2006CB302801,2006CB302804,2006CB302806,2006CB921106);国家高技术研究发展计划(863)(批准号:2006AA03A105);北京市科学技术委员会重点项目(批准号:D0404003040321)资助的课题~~
系统研究了采用金属有机物化学气相外延方法在740℃和900℃条件下生长的n型GaN的电学特性.电化学电容-电压测试表明,在低温条件下采用三乙基镓作为Ga源生长有利于降低非故意掺杂n型GaN的背景杂质浓度.另外,对重掺Si的n型GaN的霍耳效应...
关键词：N型GAN 电子浓度 迁移率 
N、O、Ga、Mg和Si离子注入n型GaN样品的光致发光谱中蓝光发射带的研究
《核技术》2006年第11期835-837,共3页张小东 李公平 张利民 尤伟 张宇 刘正民 林德旭 
采用光致发光手段研究了几种不同注入离子N、O、Mg、Si和Ga对n型GaN蓝光发射带的影响。其中离子的注入剂量分别为1013、1014、1015和1016cm-2,注入温度为室温。注入后的样品在900℃流动氮气环境下进行10min的热退火。通过对实验测得的...
关键词：氮化镓 光致发光谱 离子注入 
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