张小东

作品数：18被引量：19H指数：3
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供职机构：中国科学院近代物理研究所更多>>
发文主题：粒子加速器离子注入磁场测量激光跟踪仪光致发光谱更多>>
发文领域：理学核科学技术自动化与计算机技术文化科学更多>>
发文期刊：《核技术》《中国科学：技术科学》《原子核物理评论》《兰州大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金中国科学院近代物理研究所所长基金更多>>
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粒子加速器局部控制网形变分析
《强激光与粒子束》2022年第4期91-98,共8页张旭东 陈文军 张小东 孙国珍 张斌 王少明 袁建东 
基于泰勒展开的方法实现局部控制网的拟合,使用卡方检验判断局部控制网中是否存在形变点。若存在形变点,则在选权迭代的过程中找到局部控制网中所有的形变点,并将卡方检验通过作为迭代终止条件。对哈尔滨工业大学空间地面模拟装置2号终...
关键词：形变分析 控制网拟合 选权迭代 卡方检验 粒子加速器 
高通量下GEM探测器高压供电模式研究被引量：1
《原子核物理评论》2015年第3期335-340,共6页魏堃 祁辉荣 张余炼 温志文 张建 欧阳群 张小东 
国家自然科学基金项目(11275224)~~
GEM探测器的供电一般采用电阻链分压供电模式和多路分立供电模式,在低通量X射线下测量时区别不大,但是在高通量X射线时,电阻链分压供电模式会带来饱和效应引起工作电压的变化,造成探测器工作不稳定。本研究在高通量X射线照射下,研究了...
关键词：GEM探测器 高压供电模式 X射线 高剂量 
Bulk-Micromegas快中子成像转换层的Geant4优化
《中国科学：技术科学》2013年第3期315-319,共5页安旅行 沈华亚 张春辉 万城亮 陈永浩 何占营 张小东 
国家自然科学基金(批准号:11275087;10875054);兰州大学中央高校基本科研业务费专项资金资助(批准号:lzujbky-2010-24)资助项目
基于Bulk-Micromegas探测器的快中子成像实验中,中子转换质子的转换层效率低是一个瓶颈.利用基于Geant4工具包的蒙特卡洛模拟程序并使用ROOT工具对不同中子源(Am-Be源和14MeV中子源)以及不同转换层结构和厚度对转换效率的影响进行了模拟...
关键词：快中子成像 Bulk-Micromegas 快中子转换层 Am-Be源 14 MeV中子源 GEANT4 ROOT 
C注入GaN光致发光和微区拉曼散射的研究被引量：1
《核技术》2010年第1期15-19,共5页张利民 张小东 刘正民 
国家自然科学基金(No.10605011)资助
使用光致发光谱和微区拉曼散射谱的测量,研究了C离子注入原生无黄光发射的GaN。C离子的注入剂量范围为1013-1017cm-2。发光谱的研究表明,C注入的GaN经950℃高温退火后出现了黄光发射,而近带边发射峰的峰位则由于C注入产生的某种缺陷而...
关键词：GAN 离子注入 光致发光谱 微区拉曼散射谱 
O、C离子注入n型GaN的黄光发射研究被引量：1
《核技术》2008年第8期595-599,共5页张利民 张小东 尤伟 王文秀 葛琴 刘正民 
国家自然科学基金(10605011)资助
采用光致发光（Photoluminescence，PL）谱的测量，研究了10^13-10^17cm^-2。的O和C两种离子注入和退火对非有意掺杂的n型GaN黄光发射（Yellow luminescence，YL）的影响，注入后的样品在流动N2的保护下进行退火，退火温度950℃，退火时...
关键词：GAN 离子注入 光致发光谱 
Micromegas探测器计数曲线、增益以及能量分辨特性的研究被引量：1
《物理学报》2008年第4期2141-2144,共4页张小东 杨贺润 段利敏 徐瑚珊 胡碧涛 李春艳 李祖玉 
介绍了自行研制的Micromegas探测器的基本结构和工作原理.在不同工作气体(Ar和CO2)配比条件下,利用55Fe放射源对该探测器的能量分辨、计数曲线和气体增益等特性进行了较为详尽的测试.对相关结果进行了讨论.
关键词：Micromegas探测器 计数曲线 能量分辨率 增益 
利用Garfield程序模拟Micromegas探测器增益和位置分辨特性(英文)被引量：4
《高能物理与核物理》2007年第11期1045-1049,共5页张小东 陈绪涛 张毅 杨贺润 徐瑚珊 段利敏 李春艳 李祖玉 
中国科学院近代物理研究所所长基金资助
利用Garfield气体探测器模拟程序模拟了不同条件下Micromegas探测器的增益和位置分辨特性.通过对模拟结果的分析,得出提高探测器位置分辨和增益的有效途径.该工作不仅可以优化气体探测器结构设计,缩短实验周期,而且还能极大程度的节约经费.
关键词：Garfield程序 Micromegas探测器 气体探测器 
N、O、Ga、Mg和Si离子注入n型GaN样品的光致发光谱中蓝光发射带的研究
《核技术》2006年第11期835-837,共3页张小东 李公平 张利民 尤伟 张宇 刘正民 林德旭 
采用光致发光手段研究了几种不同注入离子N、O、Mg、Si和Ga对n型GaN蓝光发射带的影响。其中离子的注入剂量分别为1013、1014、1015和1016cm-2,注入温度为室温。注入后的样品在900℃流动氮气环境下进行10min的热退火。通过对实验测得的...
关键词：氮化镓 光致发光谱 离子注入 
离子注入n型GaN光致发光谱中宽黄光发射带研究被引量：2
《物理学报》2006年第10期5487-5493,共7页张小东 林德旭 李公平 尤伟 张利民 张宇 刘正民 
利用离子注入方法和光致发光技术系统研究了注入离子对n型GaN宽黄光发射带的影响.实验采用的注入离子为:N,O,Mg,Si和Ga,剂量分别为1013,1014,1015和1016/cm2,注入温度为室温.注入后的样品在900℃流动氮气环境下进行热退火,退火时间为10m...
关键词：氮化镓 光致发光谱 离子注入 
载能钼团簇束与单晶硅碰撞室温下合成二硅化钼被引量：1
《核技术》2005年第3期221-223,共3页李公平 张小东 丁宝卫 丁印锋 刘正民 朱德彰 张志滨 包良满 
用一种新型磁控溅射气体凝聚团簇源产生 Mon 团簇束,当团簇束分别在偏压为 0、1、3、5、10 kV 的–电场中加速后,沉积在室温下的 P 型 Si(111)衬底上,获得 Mo/Si(111)薄膜样品。用 XRD 分析表明,在室温下,偏压≤5 kV 团簇束沉积和常规...
关键词：钼团簇束 单晶硅 碰撞沉积 二硅化钼(MoSi2) 
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