林德旭

作品数：2被引量：2H指数：1
导出分析报告
供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
发文主题：氮化镓离子注入N型GAN光致发光谱GA更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《核技术》《物理学报》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
N、O、Ga、Mg和Si离子注入n型GaN样品的光致发光谱中蓝光发射带的研究
《核技术》2006年第11期835-837,共3页张小东 李公平 张利民 尤伟 张宇 刘正民 林德旭 
采用光致发光手段研究了几种不同注入离子N、O、Mg、Si和Ga对n型GaN蓝光发射带的影响。其中离子的注入剂量分别为1013、1014、1015和1016cm-2,注入温度为室温。注入后的样品在900℃流动氮气环境下进行10min的热退火。通过对实验测得的...
关键词：氮化镓 光致发光谱 离子注入 
离子注入n型GaN光致发光谱中宽黄光发射带研究被引量：2
《物理学报》2006年第10期5487-5493,共7页张小东 林德旭 李公平 尤伟 张利民 张宇 刘正民 
利用离子注入方法和光致发光技术系统研究了注入离子对n型GaN宽黄光发射带的影响.实验采用的注入离子为:N,O,Mg,Si和Ga,剂量分别为1013,1014,1015和1016/cm2,注入温度为室温.注入后的样品在900℃流动氮气环境下进行热退火,退火时间为10m...
关键词：氮化镓 光致发光谱 离子注入 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部