陆敏

作品数：8被引量：16H指数：3
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供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文主题：GAN核废料核电池核探测器核辐射探测器更多>>
发文领域：电子电信核科学技术理学环境科学与工程更多>>
发文期刊：《原子能科学技术》《核电子学与探测技术》《发光学报》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划苏州市科技计划项目(应用基础研究计划)更多>>
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GaN核辐射探测器的性能研究被引量：3
《原子能科学技术》2013年第5期884-887,共4页苏丹 张国光 陆敏 姚昌胜 赵潇 丰树强 
GaN作为第3代半导体材料,具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度大、抗辐射能力强等特点。制备了GaN半导体探测器,并应用该探测器对241 Amα粒子能谱进行测量,得到α粒子能谱的能量分辨率约30%。同时,以Si半导体探测器为标准,对GaN探测器进...
关键词：GaN核辐射探测器 能谱 Α粒子 
SiO_2钝化层对GaN基PIN结构核探测器漏电流的影响被引量：3
《固体电子学研究与进展》2012年第2期110-114,共5页袁愿林 姚昌胜 王果 陆敏 
国家自然科学基金资助项目(10875084);江苏省自然科学基金资助项目(BK2008174);苏州市应用基础研究计划资助项目(SYJG0915);国家重点基础研究发展计划资助项目(G2009CB929300)
成功地制备了有SiO2钝化层和无SiO2钝化层的GaN基PIN结构核辐射探测器,并对二者的I-V特性进行了测试。实验结果表明,SiO2钝化层的存在显著地降低了GaN基PIN结构核辐射探测器的反向漏电流,在-40V的反向偏压情况下,漏电流约有2个数量级的...
关键词：氮化镓 PIN 探测器 漏电流 钝化层 
自支撑GaN基核辐射探测器的Ⅰ-V特性研究
《固体电子学研究与进展》2011年第6期559-562,629,共5页王果 付凯 姚昌胜 王金延 陆敏 
国家自然科学基金资助项目(10875084);江苏省自然科学基金资助项目(BK2008174);苏州市应用基础研究计划资助项目(SYJG0915);国家重点基础研究发展计划资助项目(G2009CB929300)
使用自支撑GaN基材料制备了Schottky结构核辐射探测器,研究了探测器不同偏压扫描下的I-V特性。偏压从零偏向正偏扫描和从正偏向零偏扫描的I-V特性曲线并不重合;偏压从零偏向反偏扫描和从反偏向零偏扫描的曲线不重合性并没有正偏明显。...
关键词：自支撑氮化镓电流-电压特性 PL谱图 
GaN基光导型X射线探测器的光淬灭研究
《核电子学与探测技术》2011年第5期562-564,579,共4页姚昌胜 付凯 王果 陆敏 
国家自然科学基金资助项目(10875084);江苏省自然科学基金资助项目(BK2008174);苏州市应用基础研究计划资助项目(SYJG0915);国家重点基础研究发展计划资助项目(G2009CB929300)
利用先进的半导体微加工技术制备了GaN基光导型X射线探测器,观察到其在荧光灯照射下对X射线的光电流响应有明显降低的光淬灭现象,以及在荧光灯关闭和开启瞬间电流值的突变现象,设计了各种不同情形下的光电流响应实验对这一光淬灭以及电...
关键词：GAN X射线探测器 光生电流 光淬灭 
GaN基PIN结构X射线探测器被引量：4
《发光学报》2011年第7期720-723,共4页付凯 于国浩 陆敏 
国家自然科学基金(10875084);江苏省自然科学基金(BK2008174);苏州市应用基础研究计划(SYJG0915);国家重点基础研究发展计划(G2009CB929300)资助项目
使用GaN基材料制备了PIN结构核辐射探测器,研究了探测器对X射线响应的多方面性能。在没有X射线照射时,探测器具有很小的漏电流,在-10 V时小于0.1 nA。对探测器的X射线的响应时间特性进行了分析和模拟,给出了很好的物理机制解释。研究了...
关键词：GAN X射线探测器 信噪比 时间响应 
GaN肖特基核辐射探测器对X射线的响应时间特性研究被引量：2
《原子能科学技术》2010年第B09期449-452,共4页付凯 于国浩 陆敏 
国家自然科学基金资助项目(10875084);江苏省自然科学基金资助项目(BK2008174);苏州市应用基础研究计划资助项目(SYJG0915);国家重点基础研究发展计划资助项目(G2009CB929300)
通过制作大面积GaN肖特基X射线探测器,研究了GaN肖特基探测器对X射线的时间响应特性。实验采用Fe掺杂的高阻自支撑GaN片来制备器件,对不同偏压下的时间响应进行了测试。针对所测得的实验结果,对其内部机理进行了分析,提出了1个GaN肖特...
关键词：GAN 肖特基探测器 X射线 响应时问 
GaN核辐射探测器材料与器件研究进展被引量：6
《原子能科学技术》2010年第6期750-756,共7页陆敏 于国浩 张国光 
国家自然科学基金资助项目(10875084);江苏省自然科学基金资助项目(BK2008174);苏州市应用基础研究计划资助项目(SYJG0915);国家重点基础研究发展计划资助项目(G2009CB929300)
文章介绍GaN材料作为核探测器的潜在优势和国内外的研究状况,并概要综述GaN材料外延的主要技术、特点及其最新发展。通过模拟计算,总结了使用GaN制备核探测器对材料的基本要求。同时,根据目前的研究现状,提出了在GaN材料生长和器件制作...
关键词：GAN 核探测器 金属有机化学气相淀积 氢化物气相外延 
两种不同结构n型GaN基肖特基二极管电学特性
《半导体光电》2010年第2期213-216,共4页于国浩 付凯 陆敏 苑进社 
国家自然科学基金项目(10875084);江苏省自然科学基金项目(BK2008174);苏州应用基础研究计划项目(SYJG0915);国家重点基础研究专项经费项目(G2009CB929300)
实验研究了两种由ICP刻蚀不同结构的n型GaN材料与金属接触形成的肖特基二极管的I-V特性,分析计算了GaN基肖特基二极管的势垒高度和理想因子。研究发现n型GaN半导体材料表面费米能级钉扎,且费米能级的钉扎对n型GaN材料表面的金半接触所...
关键词：n型GaN薄膜 肖特基二极管 伏安特性 
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