金属有机化学气相淀积

作品数：20被引量：35H指数：3
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相关作者：缪国庆张荣谢自力周建军郑有炓更多>>
相关机构：中国科学院南京大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所西安电子科技大学更多>>
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离子注入诱导成核外延高质量AlN被引量：1
《物理学报》2024年第19期244-250,共7页余森 许晟瑞 †陶鸿昌 王海涛 安瑕 杨赫 许钪 张进成 郝跃 
国家重点研发计划(批准号:2022YFB3604400);国家自然科学基金(批准号:62074120,62134006)资助的课题。
超宽禁带AlN材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、直接带隙等优势,被广泛应用于光电子器件和电力电子器件等领域.AlN材料的质量影响着AlN基器件的性能,为此研究人员提出了多种方法来提高异质外延AlN晶体的质量,但是这些方法工艺...
关键词：氮化铝 离子注入 金属有机化学气相淀积 发光二极管 
面向VCSEL的Al_(0.98)Ga_(0.02)As薄膜湿法氧化的研究被引量：2
《无机材料学报》2018年第3期266-272,共7页林涛 张天杰 李晶晶 郭恩民 宁少欢 段玉鹏 林楠 祁琼 马骁宇 
国家自然科学基金(61306057);陕西省自然科学基础研究计划(2017JM6042)~~
为了系统研究VCSEL制作中的湿法氧化过程和机理,设计了专门的材料结构并采用MOCVD技术进行外延生长。对经过光刻和干法刻蚀形成的台面结构样品进行不同时间的湿法氧化,由表面形貌及断面结构来确定氧化程度。研究发现,氧化时间较短时,Al_...
关键词：垂直腔面发射激光器 湿法氧化 砷化铝镓 金属有机化学气相淀积 
InN的光致发光特性研究被引量：3
《物理学报》2013年第11期492-495,共4页王健 谢自力 张荣 张韵 刘斌 陈鹏 韩平 
国家重点基础研究发展计划(2011CB301900;2012CB619304);国家高技术研究发展计划(2011AA03A103);国家自然科学基金(60990311;60820106003;60906025;60936004;61176063);江苏省自然科学基金(BK2008019;BK2011010;BK2010385;BK2009255;BK2010178);南京大学扬州光电研究院研发基金资助的课题~~
研究了利用金属有机化学气相淀积生长的氮化铟薄膜的光致发光特性.由于氮化铟本身具有很高的背景载流子浓度,费米能级在导带之上,通过能带关系图以及相关公式拟合光致发光图谱可以得到生长的氮化铟的带隙为0.67eV,并且可以计算出相应的...
关键词：氮化铟 金属有机化学气相淀积 光致发光 载流子浓度 
梯度掺杂生长绒面结构ZnO:B-TCO薄膜及其特性研究被引量：2
《光电子．激光》2012年第2期280-285,共6页闫聪博 陈新亮 耿新华 张德坤 魏长春 张晓丹 赵颖 
国家"973"重点基础研究(2011CBA00705;2011CBA00706;2011CBA00707);国家高技术研究发展计划(2009AA050602);科技部国际合作(2009DFA62580);天津市应用基础及前沿技术研究计划(09JCYBJC06900);中央高校基本科研业务费专项资金(65010341)资助项目
采用新的金属有机化学气相淀积(MOCVD)-ZnO镀膜工艺技术-梯度掺杂技术生长绒面结构。研究ZnO:B-TCO薄膜。结果表明,梯度掺杂技术可有效增加薄膜晶粒尺寸和提高光散射作用。并且,梯度掺杂技术有效地提高了薄膜在近红外区域的光学透过率,...
关键词：金属有机化学气相淀积(MOCVD) 绒面结构ZnO:B薄膜 TCO 梯度掺杂技术 薄膜太阳电池 
利用In_(0.82)Ga_(0.18)As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层被引量：1
《发光学报》2011年第6期612-616,共5页张铁民 缪国庆 傅军 符运良 林红 
海南省教育厅高等学校科研项目基金(Hjkj2010-21);国家自然科学基金重点项目(50632060);国家自然科学基金面上项目(50972141);海南省自然科学基金(609002);海南师范大学学科建设基金(0020303020317;HS-2-2011-070205)资助项目
采用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上生长In0.82Ga0.18As,研究生长温度对In0.82Ga0.18As材料表面形貌、结晶质量和电学性能的影响。利用InP(100)衬底与In0.82Ga0.18As材料晶格失配所产生的应变,在不同的生长...
关键词：In0.82Ga0.18As 金属有机化学气相淀积 缓冲层 
研究In_(0.82)Ga_(0.18)As/InP的临界厚度被引量：1
《海南师范大学学报（自然科学版）》2011年第1期44-46,55,共4页张铁民 缪国庆 孙秋 孙书娟 傅军 符运良 
海南省教育厅高等学校科研基金项目(Hjkj2010-21);国家自然科学基金重点项目(50132020);海南省自然科学基金项目(609002);海南师范大学学科建设基金项目(0020303020317)
根据Matthew-Blakeslee和People-Bean的临界厚度理论,利用牛顿迭代公式,使用计算机模拟出高In组分InxGa1-xAs临界厚度的数值解,得出理论上的In0.82Ga0.18As临界厚度.使用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上分别...
关键词：Ga0.18As 金属有机化学气相淀积 临界厚度In0.82 
GaN核辐射探测器材料与器件研究进展被引量：6
《原子能科学技术》2010年第6期750-756,共7页陆敏 于国浩 张国光 
国家自然科学基金资助项目(10875084);江苏省自然科学基金资助项目(BK2008174);苏州市应用基础研究计划资助项目(SYJG0915);国家重点基础研究发展计划资助项目(G2009CB929300)
文章介绍GaN材料作为核探测器的潜在优势和国内外的研究状况,并概要综述GaN材料外延的主要技术、特点及其最新发展。通过模拟计算,总结了使用GaN制备核探测器对材料的基本要求。同时,根据目前的研究现状,提出了在GaN材料生长和器件制作...
关键词：GAN 核探测器 金属有机化学气相淀积 氢化物气相外延 
1.06μm大功率连续半导体激光器被引量：1
《微纳电子技术》2009年第4期209-212,共4页任永晓 陈宏泰 张世祖 杨红伟 花吉珍 
利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术,生长了InGaAs/AlGaAs分别限制压应变双量子阱和单量子阱两种材料结构,通过对不同腔长单管激光器的LIV测试获得内部参数,对单、双阱两种材料结构器件参数进行对比分析,确定了单量子阱结构作为1.06μ...
关键词：半导体激光器 金属有机化学气相淀积 电光转换效率 加速老化 内部参数 
MOCVD生长高Al组分AlGaN材料研究被引量：1
《微纳电子技术》2008年第11期639-642,共4页刘波 袁凤坡 尹甲运 刘英斌 冯震 冯志宏 
报道了用MOCVD在蓝宝石衬底上生长日盲型AlGaN基紫外探测器用的高质量AlN、AlGaN材料。通过优化AlN、AlGaN生长的工艺条件,如生长温度、生长压力及Ⅴ/Ⅲ比等,得到了器件级高质量的AlN、AlGaN外延材料。AlN外延膜X射线双晶衍射ω(002)面...
关键词：ALGAN 金属有机化学气相淀积 X射线衍射 原子力显微镜 透射光谱 
InGaAs/InP材料的Zn扩散技术被引量：4
《半导体技术》2008年第7期610-612,共3页刘英斌 陈宏泰 林琳 杨红伟 郑晓光 
使用MOCVD反应室进行了InGaAs和InP材料上的Zn扩散工艺条件研究。通过控制扩散温度、扩散源浓度和扩散时间三个主要工艺参数,研究了InGaAs/InP材料的扩散系数和扩散规律,获得了优化的扩散条件。试验表明,该扩散工艺符合原子扩散规律,扩...
关键词：金属有机化学气相淀积 锌扩散 退火 电化学C-V 光电探测器 
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