孙秋

作品数:1被引量:1H指数:1
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发文主题:INPGA金属有机化学气相淀积AS更多>>
发文领域:理学更多>>
发文期刊:《海南师范大学学报(自然科学版)》更多>>
所获基金:海南省教育厅高等学校科学研究项目国家自然科学基金海南省自然科学基金更多>>
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研究In_(0.82)Ga_(0.18)As/InP的临界厚度被引量:1
《海南师范大学学报(自然科学版)》2011年第1期44-46,55,共4页张铁民 缪国庆 孙秋 孙书娟 傅军 符运良 
海南省教育厅高等学校科研基金项目(Hjkj2010-21);国家自然科学基金重点项目(50132020);海南省自然科学基金项目(609002);海南师范大学学科建设基金项目(0020303020317)
根据Matthew-Blakeslee和People-Bean的临界厚度理论,利用牛顿迭代公式,使用计算机模拟出高In组分InxGa1-xAs临界厚度的数值解,得出理论上的In0.82Ga0.18As临界厚度.使用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上分别...
关键词:Ga0.18As 金属有机化学气相淀积 临界厚度In0.82 
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