异质结场效应晶体管

作品数：29被引量：30H指数：2
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具有低漏电和优异亚阈值特性的p-GaN/GaN/AlGaN增强型p型MOSHFET
《半导体技术》2025年第3期241-247,共7页范继锋 王永强 张艺 李巍 雷鹏 
国家电网内蒙古分公司科技项目(2024-4-38)。
为了实现GaN基互补逻辑电路,基于GaN的p型半导体器件逐渐引起广泛关注。制备了基于p-GaN/GaN/Al_(0.29)Ga_(0.71)N异质结构的p型金属氧化物异质结场效应晶体管(MOSHFET),该异质结构通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长在蓝宝石基...
关键词：GaN 金属氧化物异质结场效应晶体管(MOSHFET) 二维空穴气(2DHG) 高温 增强型 亚阈值摆幅(SS) 关断态漏电流 阈值电压 
6 GHz~18 GHz中功率放大器芯片的设计与实现
《现代雷达》2024年第11期105-109,共5页李鑫 肖曼琳 蒋明 杜鑫威 
设计并实现了一款高性能的宽带中功率放大器芯片,该芯片采用0.25μm砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管工艺,并通过运用共源共栅电路结构,显著提升了放大器的增益水平。同时,引入负反馈技术,有效改善了增益的平坦度,极大地拓宽了放大...
关键词：Ku波段 中功率放大器 砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管工艺 共源共栅 单片微波集成电路 
势垒层Al组分呈台阶梯度的AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管
《微纳电子技术》2022年第5期399-403,共5页房玉龙 张志荣 尹甲运 王波 高楠 芦伟立 陈宏泰 牛晨亮 
河北省省级科技计划资助项目(20311001D)。
设计并制备了AlGaN势垒层中Al组分呈线性梯度分布和呈台阶梯度分布的AlGaN/GaN结构材料及其异质结构场效应晶体管(HFET),测试了基于两种结构材料的HFET器件性能。分析发现,两种结构HFET的阈值电压分别为-9.5和-3.2 V,在1 V栅偏压下,峰...
关键词：台阶梯度异质结 氮化镓(GaN) 异质结场效应晶体管(HFET) 均匀性 无线通信 
异质结场效应晶体管太赫兹探测器非线性响应
《华中科技大学学报（自然科学版）》2021年第11期1-5,共5页曹磊 夏慧婷 贾姗姗 尹正亚 
国家自然科学基金资助项目(61705071)。
基于描述AlGaN/GaN材料异质结中二维电子气(2DEG)浓度与漂移速度的流体动力学方程组,采用有限差分法对一维空间的非线性耦合偏微分方程组进行合适的时间和空间离散,计算场效应晶体管探测器在不同强度和不同频率入射太赫兹信号作用下的...
关键词：场效应晶体管 太赫兹探测器 非线性响应 偏微分方程 有限差分法 
GaN基紫外光电探测器的材料制备及器件优化研究进展(续)
《半导体技术》2021年第6期417-425,439,共10页朱彦旭 李锜轩 谭张杨 李建伟 魏昭 王猜 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402803)。
5新型GaN基紫外探测器近年来,利用Ga N异质结场效应晶体管的二维电子气(2DEG)易受表面态控制的特征而兴起的Ga N基HEMT探测器,其所具有的灵敏度高、响应速度快、适于极端环境等优点,为实现高性能光电探测器提供了新思路[107]。此外,光...
关键词：光电探测器 异质结场效应晶体管 紫外探测器 表面声波 光谱响应 光电器件 探测率 表面态 
f_T为350 GHz的InAlN/GaN HFET高频器件研究（英文）
《红外与毫米波学报》2018年第1期15-19,共5页付兴昌 吕元杰 张力江 张彤 李献杰 宋旭波 张志荣 房玉龙 冯志红 
采用再生长n^+GaN非合金欧姆接触工艺研制了具有高电流增益截止频率(f_T)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs),器件尺寸得到有效缩小,源漏间距减小至600 nm.通过优化干法刻蚀和n^+GaN外延工艺,欧姆接触总电阻值达到0.16Ω·mm,该值为...
关键词：铟铝氮氮化镓异质结 异质结场效应晶体管 电流增益截止频率 非合金欧姆接触工艺 纳米栅 
基于60nmT型栅f_T&f_(max)为170&210 GHz的InAlN/GaN HFETs器件（英文）被引量：2
《红外与毫米波学报》2016年第6期641-645,共5页吕元杰 冯志红 张志荣 宋旭波 谭鑫 郭红雨 尹甲运 房玉龙 蔡树军 
Supported by National Natural Science Foundation of China(61306113)
基于蓝宝石衬底InAlN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(f_T)和最大振荡频率(f_(max))的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于再生长n+GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600nm.此外,采用自对准...
关键词：InAlN/GaN 异质结场效应晶体管(HFETs) 电流增益截止频率(fT) 最大振荡频率(fmax) 
基于MOCVD再生长n_+ GaN欧姆接触工艺f_T/f_(max)>150/210 GHz的AlGaN/GaN HFETs器件研究（英文）被引量：1
《红外与毫米波学报》2016年第5期534-537,568,共5页吕元杰 冯志红 宋旭波 张志荣 谭鑫 郭红雨 房玉龙 周幸叶 蔡树军 
Supported by the National Natural Science Foundation of China(61306113)
基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外,采用自对准工...
关键词：ALGAN/GAN 异质结场效应晶体管 电流增益截止频率 最大振荡频率 再生长欧姆接触 
Ka波段单片自偏压低噪声放大器被引量：2
《固体电子学研究与进展》2016年第4期289-292,共4页高兴振 杨爽 孙晓玮 
本文介绍了一款基于0.15μm PHEMT工艺的Ka波段自偏压单片低噪声放大器(LNA)。该款低噪声放大器采用四级级联的电路结构,前两级采用源极电感负反馈同时获得较好的输入驻波和噪声;采用电阻自偏压技术,单电源供电,使用方便。该款低噪声放...
关键词：赝调制掺杂异质结场效应晶体管 KA波段 低噪声放大器 自偏压 单片微波集成电路 
N极性GaN/AlGaN异质结和场效应晶体管（英文）被引量：1
《半导体技术》2016年第2期114-118,共5页房玉龙 王现彬 吕元杰 王英民 顾国栋 宋旭波 尹甲运 冯志红 蔡树军 赵正平 
由于晶格的反转和随之而来的极化场的反转,N极性面氮化物材料已经成为微波功率器件应用的理想材料之一。在2英寸(1英寸=2.54cm)偏角度4H-SiC衬底上通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的方法生长了N极性面GaN/AlGaN异质结材料,使用X射线...
关键词：N极性 GaN/AlGaN 异质结场效应晶体管(HFET) 异质结 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 
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