朱彦旭

作品数：35被引量：70H指数：5
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供职机构：北京工业大学更多>>
发文主题：高电子迁移率晶体管氮化镓欧姆接触半导体光电子器件发光二极管更多>>
发文领域：电子电信理学社会学经济管理更多>>
发文期刊：《半导体技术》《电子学报》《高教学刊》《北京工业大学学报》更多>>
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微电子专业人才培养改革思路探索被引量：2
《高教学刊》2024年第4期152-155,160,共5页朱彦旭 宋潇萌 李建伟 李晋恒 费宝亮 李珮阳 
科技部国家重点研发计划“GaN功率开关器件驱动与系统集成技术研究”(2017YFB0402803);企事业单位委托科技项目“高性能芯片制备与测试”(40043001201801);北京市教委科技创新平台“科技创新服务能力建设”(PXM2015_014204_500008)。
如今欧美国家对于我国微电子行业发展的限制与针对力度日益加重,要想在此领域继续把握一定的国际话语权与地位,国内微电子行业人才培养是十分重要且关键的一环。因此,作为我国微电子技术行业人才的重要来源,高校微电子专业本科生的培养...
关键词：传统人才培养模式 新增 精简 实习 改革 
ZnO NW栅极GaN HEMT紫外光探测性能
《电子学报》2023年第9期2510-2516,共7页朱彦旭 谭张杨 王晓冬 
国家重点研发计划资助项目(No.2017YFB0402803)。
本文实验采用水热生长法,成功制备了以ZnO纳米线为光感应栅极的高电子迁移率晶体管HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件.对HEMT进行源漏(S/D)下刻蚀,刻蚀深度为120/150 nm,探究不同S/D刻蚀深度对器件性能的影响.同时,利用磁控...
关键词：高电子迁移率晶体管 ZNO纳米线 紫外探测 光响应 
P-GaN栅结构GaN基HEMT器件研究进展被引量：2
《北京工业大学学报》2023年第8期926-936,共11页朱彦旭 宋潇萌 李建伟 谭张杨 李锜轩 李晋恒 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402803);北京市自然科学基金资助项目(4182011)。
增强型氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)是高频高功率器件与开关器件领域的研究热点,P-GaN栅技术因具备制备工艺简单、可控且工艺重复性好等优势而成为目前最常用且唯一实现商用的GaN基增强型...
关键词：氮化镓(GaN) P-GaN栅技术 高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor HEMT) 增强型器件 结构优化 制备工艺优化 
基于AlGaN/GaN HEMT结构的ZnO纳米线感光栅极光电探测器
《北京工业大学学报》2023年第2期188-196,共9页朱彦旭 李建伟 李锜轩 宋潇萌 谭张杨 李晋恒 王晓冬 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402803);北京市自然科学基金资助项目(4182011)。
在传统的采用ZnO薄膜的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)光电探测器件中,存在光吸收、光电转换效率低,光电流小等诸多局限.为改善上述问题,基于AlGaN/GaN HEMT结构,提出并成功制备了一种ZnO纳米线...
关键词：水热法 紫外 ZNO纳米线 高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor HEMT) 探测器 响应度 
基于OBE理念的微电子专业本科生导师制教育培养模式探索及评价模型研究被引量：1
《高教学刊》2021年第26期160-164,共5页朱彦旭 李锜轩 谭张杨 李建伟 
科技部国家重点研发计划“GaN功率开关器件驱动与系统集成技术研究”(编号:2017YFB0402803);企事业单位委托科技项目“高性能芯片制备与测试”(编号:40043001201801);北京市教委科技创新平台“科技创新服务能力建设”(编号:PXM2015_014204_500008)。
随着西方国家对国内微电子行业封锁限制力度的加大,快速发展国内微电子行业已成为势在必行的趋势,而相关微电子行业人才的培养,则是确保行业发展的基础。良好的微电子专业本科生教育培养模式是获取高质量微电子行业人才的唯一途径。为...
关键词：微电子专业 本科教育 本科生导师制 OBE理念 实践教学 
GaN基紫外光电探测器的材料制备及器件优化研究进展(续)
《半导体技术》2021年第6期417-425,439,共10页朱彦旭 李锜轩 谭张杨 李建伟 魏昭 王猜 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402803)。
5新型GaN基紫外探测器近年来,利用Ga N异质结场效应晶体管的二维电子气(2DEG)易受表面态控制的特征而兴起的Ga N基HEMT探测器,其所具有的灵敏度高、响应速度快、适于极端环境等优点,为实现高性能光电探测器提供了新思路[107]。此外,光...
关键词：光电探测器 异质结场效应晶体管 紫外探测器 表面声波 光谱响应 光电器件 探测率 表面态 
GaN基紫外光电探测器的材料制备及器件优化研究进展
《半导体技术》2021年第5期337-348,共12页朱彦旭 李锜轩 谭张杨 李建伟 魏昭 王猜 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402803)。
紫外光在各领域应用广泛,制备高性能紫外光电探测器(UV PD)受到研究人员的重视。GaN作为宽禁带半导体材料,具有高电子迁移率、稳定的物理化学性质、高击穿电压、低暗电流和固有可见盲区的特点。GaN基UV PD具有制备工艺简单、体积小无需...
关键词：GAN 紫外光电探测器(UV PD) 器件优化 响应度 比探测率 
一种感光栅GaN基高电子迁移率晶体管紫外探测器被引量：3
《半导体光电》2021年第1期20-24,共5页朱彦旭 杨壮 李赉龙 杨忠 李锜轩 
国家“863”计划项目;国家重点研究计划项目(2017YFB0402803);教师队伍建设15青年拔尖项目(3011000543115002)。
利用GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅控特性和铁电体的光伏效应机制,制备了一种新型(光敏感层/HEMT)光探测器件。主要研究了复合薄膜和溅射气氛对光敏感薄膜的光伏性能以及对新型感光栅极探测器的光探测能力的影响。结果表明,PZT/Zn...
关键词：氮化镓 铁电体 光伏效应 紫外光 光探测器 
基于感光栅极GaN高迁移率晶体管的新型探测器制备与优化被引量：1
《光子学报》2020年第6期34-43,共10页朱彦旭 杨壮 宋会会 李赉龙 杨忠 李锜轩 胡铁凡 
National High Technology Research and Development Program of China(No.2015AA033305);National Key Reserach and Development Program of China(Nos.2017YFB0402800,2017YFB0402803)。
利用GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅控特性和锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜的光伏效应,在HEMT器件的栅极处沉积一层PZT铁电薄膜,提出了一种新型的(光敏感层/HEMT)探测结构.为制备出光伏性能优异的薄膜,对不同的溅射功率和退火温度制备的PZT...
关键词：量子光学 光学探测器 光伏效应 铁电薄膜 氮化镓 紫外线源 光刻 
感光栅极GaN基HEMT器件的制备与栅极优化被引量：1
《发光学报》2019年第3期311-316,共6页朱彦旭 李赉龙 白新和 宋会会 石栋 杨壮 杨忠 
教师队伍建设15青年拔尖项目(311000543115002);国家重点研发计划(2017YFB0402803);国家863项目(2015AA033305);国家科技重大专项(2017YFB0402800;2017YFB0402801)资助项目~~
铁电材料作为感光功能薄膜的红外器件研究近年来十分活跃,其良好的压电、铁电、热释电、光电及非线性光学特性以及能够与半导体工艺相集成等特点,在微电子和光电子技术领域有着广阔的应用前景。实验将铁电材料锆钛酸铅作为感光层与GaN...
关键词：高电子迁移率晶体管 感光栅极 器件结构 光伏效应 
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