李建伟

作品数：5被引量：3H指数：1
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供职机构：北京工业大学更多>>
发文主题：HEMT高电子迁移率晶体管厌氧氨氧化ALGAN/GAN_HEMTZNO纳米线更多>>
发文领域：电子电信环境科学与工程社会学经济管理更多>>
发文期刊：《半导体技术》《高教学刊》《北京工业大学学报》更多>>
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P-GaN栅结构GaN基HEMT器件研究进展被引量：2
《北京工业大学学报》2023年第8期926-936,共11页朱彦旭 宋潇萌 李建伟 谭张杨 李锜轩 李晋恒 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402803);北京市自然科学基金资助项目(4182011)。
增强型氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)是高频高功率器件与开关器件领域的研究热点,P-GaN栅技术因具备制备工艺简单、可控且工艺重复性好等优势而成为目前最常用且唯一实现商用的GaN基增强型...
关键词：氮化镓(GaN) P-GaN栅技术 高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor HEMT) 增强型器件 结构优化 制备工艺优化 
基于AlGaN/GaN HEMT结构的ZnO纳米线感光栅极光电探测器
《北京工业大学学报》2023年第2期188-196,共9页朱彦旭 李建伟 李锜轩 宋潇萌 谭张杨 李晋恒 王晓冬 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402803);北京市自然科学基金资助项目(4182011)。
在传统的采用ZnO薄膜的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)光电探测器件中,存在光吸收、光电转换效率低,光电流小等诸多局限.为改善上述问题,基于AlGaN/GaN HEMT结构,提出并成功制备了一种ZnO纳米线...
关键词：水热法 紫外 ZNO纳米线 高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor HEMT) 探测器 响应度 
基于OBE理念的微电子专业本科生导师制教育培养模式探索及评价模型研究被引量：1
《高教学刊》2021年第26期160-164,共5页朱彦旭 李锜轩 谭张杨 李建伟 
科技部国家重点研发计划“GaN功率开关器件驱动与系统集成技术研究”(编号:2017YFB0402803);企事业单位委托科技项目“高性能芯片制备与测试”(编号:40043001201801);北京市教委科技创新平台“科技创新服务能力建设”(编号:PXM2015_014204_500008)。
随着西方国家对国内微电子行业封锁限制力度的加大,快速发展国内微电子行业已成为势在必行的趋势,而相关微电子行业人才的培养,则是确保行业发展的基础。良好的微电子专业本科生教育培养模式是获取高质量微电子行业人才的唯一途径。为...
关键词：微电子专业 本科教育 本科生导师制 OBE理念 实践教学 
GaN基紫外光电探测器的材料制备及器件优化研究进展(续)
《半导体技术》2021年第6期417-425,439,共10页朱彦旭 李锜轩 谭张杨 李建伟 魏昭 王猜 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402803)。
5新型GaN基紫外探测器近年来,利用Ga N异质结场效应晶体管的二维电子气(2DEG)易受表面态控制的特征而兴起的Ga N基HEMT探测器,其所具有的灵敏度高、响应速度快、适于极端环境等优点,为实现高性能光电探测器提供了新思路[107]。此外,光...
关键词：光电探测器 异质结场效应晶体管 紫外探测器 表面声波 光谱响应 光电器件 探测率 表面态 
GaN基紫外光电探测器的材料制备及器件优化研究进展
《半导体技术》2021年第5期337-348,共12页朱彦旭 李锜轩 谭张杨 李建伟 魏昭 王猜 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402803)。
紫外光在各领域应用广泛,制备高性能紫外光电探测器(UV PD)受到研究人员的重视。GaN作为宽禁带半导体材料,具有高电子迁移率、稳定的物理化学性质、高击穿电压、低暗电流和固有可见盲区的特点。GaN基UV PD具有制备工艺简单、体积小无需...
关键词：GAN 紫外光电探测器(UV PD) 器件优化 响应度 比探测率 
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