GaN基紫外光电探测器的材料制备及器件优化研究进展(续)  

Research Progress of Material Preparation and Device Optimization of GaN-Based Ultraviolet Photodetectors(Continued)

作　　者：朱彦旭[1] 李锜轩 谭张杨 李建伟[1] 魏昭 王猜 Zhu Yanxu;Li Qixuan;Tan Zhangyang;Li Jianwei;Wei Zhao;Wang Cai(Key Laboratory of Opto-Electronics Technology,Ministry of Education,Beijing University of Technology,Beijing 100124,China)

机构地区：[1]北京工业大学光电子技术教育部重点实验室,北京100124

出　　处：《半导体技术》2021年第6期417-425,439,共10页Semiconductor Technology

基　　金：国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402803)。

摘　　要：5新型GaN基紫外探测器近年来,利用Ga N异质结场效应晶体管的二维电子气(2DEG)易受表面态控制的特征而兴起的Ga N基HEMT探测器,其所具有的灵敏度高、响应速度快、适于极端环境等优点,为实现高性能光电探测器提供了新思路[107]。此外,光电器件中的表面等离激元和表面声波(surface acoustic wave,SAW)等[108]与光子间耦合振荡导致的局部势场增强和散射效应,有效增加了探测器的光谱响应,逐渐成为探索具有高响应度、高探测率GaN光电探测器的研究热点方向。

关 键 词：光电探测器 异质结场效应晶体管 紫外探测器 表面声波 光谱响应 光电器件 探测率 表面态 

分 类 号：TN36[电子电信—物理电子学]