云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 江洋

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AlGaN插入层对6H-SiC上金属有机物气相外延生长的GaN薄膜残余应力及表面形貌的影响被引量：3: 《物理学报》2009年第10期7282-7287,共6页江洋罗毅席光义汪莱李洪涛赵维韩彦军; 国家自然科学基金(批准号:60536020;60723002);国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB302801;2006CB302804;2006CB302806;2006CB921106);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A105);北京市科委重大计划(批准号:D0404003040321)资助的课题~~; 研究了具有不同台阶数目的AlGaN插入层对在6H-SiC衬底上利用金属有机物气相外延(MOVPE)生长的GaN体材料残余应力和表面形貌的影响.高分辨率X射线衍射测试表明样品的c轴晶格常数随台阶数目的增多而增大;低温光荧光谱中GaN发光峰也随着台...; 关键词：残余应力表面形貌 SIC衬底 AlGaN插入层

柱状与孔状图形衬底对MOVPE生长GaN体材料及LED器件的影响被引量：7: 《物理学报》2009年第5期3468-3473,共6页江洋罗毅汪莱李洪涛席光义赵维韩彦军; 国家自然科学基金(批准号:60536020,60723002);国家重点基础研究发展计划“973”(批准号:2006CB302801,2006CB302804,2006CB302806,2006CB921106);国家高技术研究发展计划“863”(批准号:2006AA03A105);北京市科委重大计划(批准号:D0404003040321)资助的课题~~; 在柱状图形蓝宝石衬底(PSS-p)和孔状图形蓝宝石衬底(PSS-h)上外延了GaN体材料和LED结构并进行了详细对比和分析.X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)测试结果表明,PSS-h上体材料的晶体质量和表面形貌都优于PSS-p上体材料的特性,通过断...; 关键词：蓝宝石图形衬底氮化镓发光二极管侧向生长

基于X射线衍射的GaN薄膜厚度的精确测量: 《物理学报》2008年第11期7119-7125,共7页李洪涛罗毅席光义汪莱江洋赵维韩彦军郝智彪孙长征; 国家自然科学基金(批准号:60536020,60723002);国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2006CB302801,2006CB302804,2006CB302806,2006CB921106);国家高技术研究发展计划(863)(批准号:2006AA03A105);北京市科委重大计划(批准号:D0404003040321)资助的课题~~; 结合Williamson-Hall plot方法和线型分析方法的优点,提出了一种有效分离有限晶粒尺寸和非均匀应力等X射线衍射展宽效应的方法,可以用于GaN外延层厚度等参数的快速精确测量.用该方法对一系列在蓝宝石衬底上生长的厚度在0.7—4.2μm的Ga...; 关键词：GAN薄膜厚度测量 X射线衍射

非故意掺杂GaN薄膜方块电阻与载气中N_2比例关系研究: 《物理学报》2008年第11期7233-7237,共5页席光义郝智彪汪莱李洪涛江洋赵维任凡韩彦军孙长征罗毅; 国家自然科学基金(批准号:60536020;60723002);国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2006CB302801;2006CB302804;2006CB302806;2006CB921106);国家高技术研究发展计划(863)(批准号:2006AA03A105);北京市科委重大计划(批准号:D0404003040321)资助的课题~~; 利用金属有机气相外延方法研究了非故意掺杂GaN薄膜的方块电阻与高温GaN体材料生长时载气中N2比例的关系.研究发现,随着载气中N2比例的增加,GaN薄膜方块电阻急剧增加.当载气中N2比例为50%时,GaN薄膜方块电阻达1.1×108Ω/□,且GaN表面平...; 关键词：半绝缘GaN薄膜载气金属有机气相外延位错

AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的影响被引量：3: 《物理学报》2008年第11期7238-7243,共6页席光义任凡郝智彪汪莱李洪涛江洋赵维韩彦军罗毅; 国家自然科学基金(批准号:60536020,60723002);国家重点基础研究发展计划“973”(批准号:2006CB302801,2006CB302804,2006CB302806,2006CB921106);国家高技术研究发展计划“863”(批准号:2006AA03A105);北京市科委重大计划(批准号:D0404003040321)资助的课题~~; 利用金属有机气相外延(MOVPE)技术生长了具有不同AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷密度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)样品,并对比研究了两种缺陷对器件栅、漏延迟电流崩塌效应的影响.栅延迟测试表明,AlGaN表面坑状缺陷会引...; 关键词：ALGAN/GAN HEMT 电流崩塌坑状缺陷位错缺陷

MOVPE低温生长的n型GaN电学特性研究被引量：2: 《物理学报》2008年第9期5923-5927,共5页汪莱张贤鹏席光义赵维李洪涛江洋韩彦军罗毅; 国家自然科学基金(批准号:60536020,60390074);国家重点基础研究发展计划(973)(批准号:2006CB302801,2006CB302804,2006CB302806,2006CB921106);国家高技术研究发展计划(863)(批准号:2006AA03A105);北京市科学技术委员会重点项目(批准号:D0404003040321)资助的课题~~; 系统研究了采用金属有机物化学气相外延方法在740℃和900℃条件下生长的n型GaN的电学特性.电化学电容-电压测试表明,在低温条件下采用三乙基镓作为Ga源生长有利于降低非故意掺杂n型GaN的背景杂质浓度.另外,对重掺Si的n型GaN的霍耳效应...; 关键词：N型GAN 电子浓度迁移率

基于图形衬底生长的GaN位错机制分析被引量：3: 《光电子．激光》2008年第4期478-481,共4页江洋罗毅薛小琳汪莱李洪涛席光义赵维韩彦军; 国家自然科学基金资助项目(60223001;60244001;60290084);国家"973"基础科学研究资助项目(G2000-03-6601);国家"863"计划资助项目(2001AA313130;2004AA31G060);北京市科委资助项目(D0404003040321); 采用缺陷选择性腐蚀法结合光学显微镜及原子力显微镜(AFM)对金属有机化合物气相外延(MOVPE)在蓝宝石图形衬底(PSS)上生长的非掺杂GaN体材料的位错产生机制进行了研究,分析结果表明,位错来源于三个方面:一是"二步法"生长机制引入的位错;...; 关键词：GaN金属有机气相外延图形衬底位错缺陷选择性腐蚀

ICP刻蚀p-GaN表面微结构GaN基蓝光LED被引量：4: 《半导体光电》2008年第1期6-9,15,共5页张贤鹏韩彦军罗毅薛小琳汪莱江洋; 国家自然科学基金项目(60536020;60390074);国家"973"计划项目(2006CB302801;2006CB302804;2006CB302806;2006CB921106);国家"863"计划项目(2006AA03A105);北京市科委重大计划资助项目(D0404003040321); 采用基于Cl2/Ar/BCl3气体的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制作了p-GaN表面具有直径3μm、周期6μm的二维圆孔微结构GaN基蓝光LED,研究了刻蚀深度对光荧光(PL)和发光二极管(LED)光电特性的影响。结果表明,刻蚀深度为25 nm的表面微结构,...; 关键词：氮化镓基发光二极管表面微结构 ICP干法刻蚀湿法腐蚀

基于BCl_3感应耦合等离子体的蓝宝石光滑表面刻蚀被引量：1: 《光电子．激光》2007年第9期1078-1081,共4页薛小琳韩彦军张贤鹏江洋马洪霞刘中涛罗毅; 国家自然科学基金资助项目(60223001;60244001;60290084);国家"973"基础科学研究资助项目(G2000-03-6601);国家"863"计划资助项目(2001AA313130;2004AA31G060);北京市科委资助项目(D0404003040321); 利用Ar/BCl3、Cl2/BCl3和SF6/BCl3感应耦合等离子体(ICP),研究了蓝宝石(Al2O3)材料的干法刻蚀特性。实验表明,优化BCl3含量(80%),可以提高对Al2O3衬底的刻蚀速率;在BCl3刻蚀气体中加入20%的Ar气可以在高刻蚀速率下同时获得优于未刻蚀Al...; 关键词：蓝宝石(Al2O3) 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀 Ar/BCl3 表面平整度刻蚀速率

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