蓝宝石图形衬底

作品数：14被引量：44H指数：5
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：邢志刚郭丽伟王晶贾海强陈弘更多>>
相关机构：中国科学院哈尔滨工业大学华南师范大学山东华光光电子有限公司更多>>
相关期刊：《液晶与显示》《照明工程学报》《功能材料》《无机材料学报》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划深圳市基础研究计划项目哈尔滨工业大学科研创新基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
在蓝宝石图形衬底上外延高性能LED被引量：1
《照明工程学报》2020年第5期82-84,共3页乔良 杨海艳 张诗娟 陆羽 
廊坊市科学技术研究与发展计划资助项目(项目编号:2019011032)。
在较大尺寸的蓝宝石衬底上生长氮化镓(GaN)基发光二极管(light emitting diode,LED)外延往往会发生较为明显的翘曲状况,这会导致整个外延片发光一致性降低。本文通过优化非故意掺杂氮化镓层的生长参数,调节了外延层中的应力,该外延层的...
关键词：蓝宝石衬底 发光二极管 翘曲 
4-inch蓝宝石图形衬底上GaN基白光LED制备及表征
《发光学报》2020年第7期858-862,共5页朱友华 刘轩 王美玉 李毅 
国家自然科学基金(61874168);江苏省产学研项目(BY2019114)资助。
在4-inch蓝宝石图形衬底上,基于InGaN/GaN多量子阱结构制备了蓝光LED芯片,并通过与钇铝石榴石黄色荧光粉(YAG∶Ce3+)结合,封装成白光LED器件。简要介绍了外延生长和芯片工艺及封装流程,并对材料特性及器件性能进行了表征。外延片表面形...
关键词：GAN YAG荧光粉 白光LED 表征及性能 
AlN成核层对近紫外LED外延生长的影响被引量：2
《半导体技术》2018年第9期684-688,696,共6页李婷婷 周玉春 杨路华 李晓波 王静辉 
河北省创新能力提升计划项目(18960607H)
在图形化蓝宝石衬底上制备了InGaN/AlGaN近紫外发光二极管（LED）。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法外延生长了不同厚度的AlN成核层,系统研究了AlN成核层厚度对外延层质量和InGaN/AlGaN近紫外LED（波长395 nm）光电性能的影响。...
关键词：AlN成核层 近紫外LED 蓝宝石图形衬底(PSS) 腐蚀坑密度 外量子效率 
Mg掺与GaN晶格匹配的InAlN特性研究被引量：1
《电子元件与材料》2015年第8期22-25,共4页尹以安 刘力 章勇 郑树文 段胜凯 
广州市科技计划资助项目(No.201510010229;No.2014J4100056);广东省科技计划资助项目(No.2013B040402009)
采用蓝宝石图形衬底技术在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中制备了Mg掺杂的与GaN晶格匹配的InAlN。通过改变Al源、Mg源的掺杂量和退火温度,研究其对p-InAlN的载流子浓度和晶体质量的影响。实验发现当Al源的流量为2.34μmol/min时,...
关键词：INALN 蓝宝石图形衬底 MOCVD Mg掺杂InAlN 晶格匹配 退火温度 
湿法腐蚀制备GaN LED蓝宝石图形衬底的工艺方法研究被引量：2
《微电子学与计算机》2015年第4期102-106,共5页徐文俊 李海鸥 李琦 翟江辉 何志毅 李思敏 
国家自然科学基金项目(61274077);广西自然科学基金项目(2013GXNSFGA019003);桂林电子科技大学研究生教育创新计划项目(GDYCSZ201449)
近几年来,蓝宝石图形衬底(PSS)制备工艺技术已成为国内外研究GaN基发光二极管(LED)的热点问题.该技术不仅能够降低GaN外延缺陷和位错密度,还能够有效提高LED的光提取效率.为了获得均匀性好的PSS及操作简便、成本较低的制备方法,采用湿...
关键词：蓝宝石图形衬底 湿法腐蚀 腐蚀速率 GAN LED 
蓝宝石图形衬底上利用AlN缓冲层生长高质量GaN
《半导体技术》2014年第8期609-615,共7页李水清 
在图形化衬底上以AlN作为缓冲层生长高质量的GaN薄膜,国内相关的报道较少。通过引入两步缓冲层生长方法,在蓝宝石图形衬底上生长基于AlN缓冲层的高质量GaN薄膜,利用低温AlN层生长时内部的缺陷,选择性进行腐蚀,形成衬底与外延层界面间的...
关键词：氮化镓 氮化铝 图形化衬底 发光二极管 侧向出光 
高效大功率LED用蓝宝石图形衬底的制备
《人工晶体学报》2013年第8期1498-1503,共6页汪桂根 崔林 韩杰才 王新中 严帅 秦国双 
国家自然科学基金(61240015);广东省自然科学基金(9451805707003351;S2012010010030);深圳市基础研究计划项目(JCYJ20120613134210982;JCYJ20120615101957810);哈尔滨工业大学科研创新基金(HIT.NSFIR.2011123)
首先在蓝宝石衬底上旋涂PMMA/copolymer双层胶,然后再进行电子束光刻处理,随后溅射铝膜,并结合剥离技术,从而制备图形化金属铝膜;最后再采用两步热处理法,使图形铝膜发生固相外延反应。在此过程中,侧重于电子束光刻和高温热处理的工艺...
关键词：蓝宝石 图形衬底 电子束光刻 剥离 发光二极管 
高效大功率LED用蓝宝石图形衬底制备的研究进展被引量：5
《功能材料》2012年第21期2886-2892,共7页桂全宏 周福强 汪桂根 崔林 黎凌华 严帅 韩杰才 
国家自然科学基金资助项目(50902028;51172054)
近年来,图形化的蓝宝石衬底在改善GaN晶体外延生长质量以及提升LED器件发光提取效率方面作用显著,引起了广泛的研究兴趣。综述了蓝宝石图形衬底的制备方法(干法刻蚀、湿法刻蚀、外延生长法),并较系统地介绍了蓝宝石图形衬底表面周期性...
关键词：蓝宝石图形衬底 GAN LED 
用于GaN基发光二极管的蓝宝石图形衬底制备进展被引量：13
《无机材料学报》2012年第9期897-905,共9页崔林 汪桂根 张化宇 周福强 韩杰才 
国家自然科学基金(50902028;51172054);深圳市基础研究计划项目(JC200903120169A);哈尔滨工业大学科研创新基金(HIT.NSFIR.2011123)~~
近几年,图形化蓝宝石衬底因其作为GaN基发光二极管外延衬底,不仅能降低GaN外延薄膜的线位错密度,还能提高LED的光提取效率而引起国内外许多科研机构的广泛研究兴趣.本文综述了图形化蓝宝石衬底提高GaN基发光二极管性能的作用机理,重点...
关键词：图形化蓝宝石衬底 氮化镓 发光二极管 横向外延过生长 综述 
GaN基高压直流发光二极管制备及其性能分析被引量：11
《物理学报》2012年第13期511-517,共7页曹东兴 郭志友 梁伏波 杨小东 黄鸿勇 
国家自然科学基金(批准号:60877069)资助的课题~~
GaN基高压直流发光二极管工艺制备,采用蓝宝石图形衬底(PSS)外延片制备正梯形芯粒结构的GaN基高压直流LED.相对其他结构器件,该结构器件发光效率最高,封装白光后,在色温4500 K,驱动电流20 mA时,光效116.06 lm/W,对应电压50 V.测试其I-V...
关键词：GaN基高压直流发光二极管 蓝宝石图形衬底 正梯形芯粒结构 发光效率 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部