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INALN: 作品数：29被引量：15H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：郝跃张进成冯志红沈晓明符跃春更多>>; 相关机构：西安电子科技大学广西大学中国电子科技集团第十三研究所山东大学更多>>; 相关期刊：《功能材料》《半导体技术》《Chinese Physics B》《Optoelectronics Letters》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>

Improved RF power performance of InAlN/GaN HEMT by optimizing rapid thermal annealing process for high-performance low-voltage terminal applications: 《Chinese Physics B》2023年第12期474-480,共7页周雨威宓珉瀚王鹏飞龚灿陈怡霖陈治宏刘捷龙杨眉张濛朱青马晓华郝跃; Project supported by the National Key Research and Development Project of China (Grant No.2021YFB3602404);part by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos.61904135 and 62234009);the Key R&D Program of Guangzhou (Grant No.202103020002);Wuhu and Xidian University special fund for industry-university-research cooperation (Grant No.XWYCXY-012021014-HT);the Fundamental Research Funds for the Central Universities (Grant No.XJS221110);the Natural Science Foundation of Shaanxi,China (Grant No.2022JM-377);the Innovation Fund of Xidian University (Grant No.YJSJ23019)。; Improved radio-frequency(RF)power performance of InAlN/GaN high electron mobility transistor(HEMT)is achieved by optimizing the rapid thermal annealing(RTA)process for high-performance low-voltage terminal application...; 关键词：InAlN/GaN rapid thermal annealing low voltage RF power performance terminal applications

氮极性GaN/In_(0.17)Al_(0.83)N高电子迁移率晶体管材料机理与器件特性分析: 《真空科学与技术学报》2022年第2期151-158,共8页王现彬高彦彦周淑芬; 教育部产学合作协同育人项目(202002288020)。; 晶格匹配的氮极性(N-polar)GaN/In_(0.17)Al_(0.83)N异质结以其优异的材料与电特性受到了研究者的广泛关注。通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程,结合准二维模型,模拟计算了N-polar GaN/In_(0.17)Al_(0.83)N高电子迁移率晶体管(HEMT)相...; 关键词：氮极性 GaN/InAlN异质结自洽求解二维电子气准二维模型

晶格匹配InAlN/GaN HEMT沟道温度评估方法研究: 《微电子学》2020年第6期903-909,共7页金宁陈雷雷曹艳荣梁海莲闫大为顾晓峰; 国家自然科学基金资助项目(61504050)。; 首先分别利用直流电学法、脉冲电学法和微区拉曼光谱法测量了晶格匹配InAlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的沟道温度,然后评估了各类评估方法的准确性。结果表明:直流电学法获得的温度值远低于拉曼光谱法,严重低估了HEMT工作时的沟道温...; 关键词：GAN基HEMT 沟道温度拉曼光谱微光显微镜

Si基超薄势垒InAlN/GaN HEMT开关器件小信号模型被引量：1: 《半导体技术》2020年第5期371-378,共8页张静梁竞贤来龙坤徐进张奕泽闫江罗卫军; 为了更好地表征Si基超薄InAlN/GaN HEMT开关器件的特性和开发更精确的开关电路模型,基于0.25μm HEMT工艺制备了不同栅极电阻的开关器件,提出了附加10 kΩ栅极电阻的器件结构,并对开关器件进行了小信号模型分析。采用传统的去嵌结构提...; 关键词：InAlN/GaN HEMT 超薄势垒栅极附加电阻开关器件小信号模型单刀双掷(SPDT)开关

结构参数对N极性面GaN/InAlN高电子迁移率晶体管性能的影响被引量：3: 《物理学报》2019年第24期288-294,共7页刘燕丽王伟董燕陈敦军张荣郑有炓; 国家自然科学基金重点项目(批准号:61634002);国家自然科学基金青年科学基金(批准号:61804089);国家自然科学基金联合基金(批准号:U1830109);山东省高等学校科技计划(批准号:J16LN04);烟台市重点研发计划(批准号:2017ZH064)资助的课题~~; 基于漂移-扩散传输模型、费米狄拉克统计模型以及Shockley-Read-Hall复合模型等,通过自洽求解薛定谔方程、泊松方程以及载流子连续性方程,模拟研究了材料结构参数对N极性面GaN/InAlN高电子迁移率晶体管性能的影响及其物理机制.结果表明...; 关键词：N极性面GaN/InAlN 高电子迁移率晶体管结构参数电学性能

Improvement of TE-polarized emission in type-Ⅱ InAlN–AlGaN/AlGaN quantum well: 《Chinese Physics B》2019年第9期343-347,共5页Yi Li Youhua Zhu Meiyu Wang Honghai Deng Haihong Yin; Project supported by the Talent Introduction Project of Nantong University,China(Grant No.03081055);the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61874168 and 61505090);Top-notch Academic Programs Project of Jiangsu Higher Education Institutions,China(Grant No.PPZY2015B135);the Six Top Talents of Jiangsu Province,China(Grant No.2016-XCL-052);the Natural Science Foundation of Nantong University,China(Grant Nos.03080666and 14Z003);the Qing Lan Project of Jiangsu Province,China;Key NSF Program of Jiangsu Provincial Department of Education,China(Grant No.15KJA510004); The optical properties of the type-Ⅱ lineup InxAl1-xN-Al0.59Ga0.41N/Al0.74Ga0.26N quantum well(QW) structures with different In contents are investigated by using the six-by-six K-P method.The type-Ⅱ lineup structur...; 关键词：type-Ⅱ LINEUP quantum well K-P method TRANSVERSE electric(TE) polarized emission

InAlN薄膜的变温椭圆偏振光谱研究: 《广西大学学报（自然科学版）》2018年第5期1954-1959,共6页梁远兰林涛杨庆怡万玲玉冯哲川; 国家自然科学基金资助项目(61504030;61367004);广西特聘教授(八桂人才和八桂学者)专项经费资助项目; 为了研究In Al N材料的光学参数随温度的变化特性,采用变温椭圆偏振光谱(25～600℃)测量技术对In Al N合金材料在193～1 650 nm宽光谱范围内进行了表征。利用Tauc-Lorentz振子模型描述和拟合变温椭偏光谱测量数据,得到了In Al N薄膜的...; 关键词：InAlN合金椭圆偏振光谱变温

Simulation study of InAlN/GaN high-electron mobility transistor with AlInN back barrier被引量：1: 《Chinese Physics B》2017年第10期433-437,共5页韩铁成赵红东杨磊王杨; supported by the Natural Science Foundation of Hebei Province,China(Grant No.F2013202256); In this work, we use a 3-nm-thick Al0.64In0.36N back-barrier layer in In0.17Al0.83N/GaN high-electron mobility transistor （HEMT） to enhance electron confinement. Based on two-dimensional device simulations, the infl...; 关键词：InAlN/GaN HEMT back barrier electron confinement short-channel effect （SCE）

与GaN晶格匹配的InAlN分子束外延生长及其性能: 《半导体技术》2016年第7期532-538,共7页顾俊吴渊渊杨文献陆书龙罗向东; 国家自然科学基金资助项目(61574161;61574130);江苏省自然科学基金资助项目(BK20151455); 采用等离子体辅助的分子束外延(MBE)方法制备了InAlN外延薄膜,探讨了InAlN材料In原子数分数和生长条件的关系,以及等效束流强度(BEP)对材料质量的影响。绘制了InAlN关于温度与In和Al BEP的生长相图,经过优化后生长了与GaN晶格匹配的InAl...; 关键词：分子束外延(MBE) INALN 晶格匹配弯曲系数表面粗糙度

Investigation of trap states in Al_2O_3 InAlN/GaN metal–oxide–semiconductor high-electron-mobility transistors: 《Chinese Physics B》2015年第12期503-506,共4页张鹏赵胜雷薛军帅祝杰杰马晓华张进成郝跃; Project supported by the Program for National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61404100 and 61306017); In this paper the trapping effects in Al2O3/In0.17Al0.83N/GaN MOS-HEMT（here, HEMT stands for high electron mobility transistor） are investigated by frequency-dependent capacitance and conductance analysis. The trap ...; 关键词：INALN TRAPPING frequency-dependent conductance metal–oxide–semiconductor high-electronmobility transistors

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