GAN基HEMT

作品数：41被引量：48H指数：3
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高质量GaN基HEMT专利技术综述
《专利代理》2024年第2期64-70,共7页丁宁 
研究了高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)器件领域中占据主流地位的GaN基HEMT相关专利,并重点研究了该领域的专利技术发展趋势和布局。以大规模GaN膜和小尺寸GaN膜为主要切入点,针对GaN膜的材料质量所涉及的...
关键词：HEMT GAN 高质量GaN膜 
用于GaN基HEMT栅极金属TiN的ICP刻蚀工艺
《微纳电子技术》2024年第3期136-143,共8页高阳 周燕萍 王鹤鸣 左超 上村隆一郎 杨秉君 
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)在射频(RF)通信及新能源汽车领域有着巨大的应用潜力。TiN材料因其良好的热稳定性、化学稳定性及工艺兼容性,可用作GaN基HEMT的栅极材料。采用ULVAC公司生产的NE-550型电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备对Ti...
关键词：氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 TIN Cl2和BCl3混合气体 栅极结构 新能源汽车 
基于自建测试平台的GaN基HEMT器件陷阱表征
《微纳电子与智能制造》2024年第1期38-45,共8页杜颖晨 温茜 冯士维 张亚民 
国家自然科学基金资助项目(62074009、62334002);北京市自然科学基金资助项目(L233023)资助
陷阱效应是影响GaN基HEMT器件性能的主要因素之一。为了提高陷阱表征的精度和时间分辨率,采用瞬态电压法并搭建了专用的测试平台对陷阱进行表征,抑制了电压漂移现象,将时间分辨率从毫秒级提升至微秒级,扩大了陷阱的表征范围,同时基于贝...
关键词：GAN基HEMT 陷阱表征 瞬态电压法 时间常数谱 贝叶斯迭代 自建测试平台 
P-GaN栅结构GaN基HEMT器件研究进展被引量：2
《北京工业大学学报》2023年第8期926-936,共11页朱彦旭 宋潇萌 李建伟 谭张杨 李锜轩 李晋恒 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402803);北京市自然科学基金资助项目(4182011)。
增强型氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)是高频高功率器件与开关器件领域的研究热点,P-GaN栅技术因具备制备工艺简单、可控且工艺重复性好等优势而成为目前最常用且唯一实现商用的GaN基增强型...
关键词：氮化镓(GaN) P-GaN栅技术 高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor HEMT) 增强型器件 结构优化 制备工艺优化 
GaN基HEMT失效热点行为研究被引量：1
《微电子学》2023年第1期170-174,共5页廖周林 区炳显 王燕平 李金晓 闫大为 
无锡市科技发展基金资助项目(WX0301B013602200004PB)
研究了GaN基HEMT器件的失效热点行为。当V_(GS)>V_(th)时,漏极电流I_(D)主要为漏-源导通电流I_(DS),输运机制为漂移;当V_(GS)
关键词：GAN基HEMT 失效热点 高场区 热电子 
基于峰值谱技术的GaN基微波功率器件陷阱表征方法
《半导体技术》2022年第4期274-280,共7页张娇 张亚民 冯士维 
国家自然科学基金资助项目(61804006,62074009);北京市自然科学基金资助项目(4192012);北京市教委科技计划一般项目(KM202010005033)。
GaN基微波功率器件在高电场影响下产生了界面缺陷和陷阱效应,加剧了器件有源区材料的损伤,是造成其在高频、大功率应用下电学参数退化的重要因素。提出了一种基于贝叶斯迭代的时间常数谱的提取方法,通过采集器件漏源电流瞬态响应曲线,...
关键词：GAN基HEMT 陷阱表征 瞬态电流法 时间常数谱 贝叶斯迭代 
GaN基HEMT器件结构设计及其性能仿真被引量：1
《半导体光电》2022年第2期337-340,共4页刘雨 宋增才 张东 
国家自然科学基金青年项目(61904054)。
利用Silvaco TCAD器件模拟软件研究了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件势垒层的厚度、沟道宽长比和掺杂浓度对器件的转移特性和跨导曲线的影响。结果表明,器件势垒层厚度的变化可以调节器件的电流开关比和开启电压,实现由耗尽型...
关键词：GAN 二维电子气 HEMTS 结构设计 
表面电荷对GaN基HEMT器件输运特性影响的研究
《固体电子学研究与进展》2021年第4期251-257,共7页潘传真 陈鹏 徐儒 丰建波 赵红 施毅 张荣 郑有炓 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2016YFB0400102);集成光电子学国家重点实验室开放课题(IOSKL2017KF03);国网山东省电力公司电力科学研究院研发基金资助项目。
使用ATLAS(silvaco)仿真软件研究了不同表面电荷对GaN HEMT器件输运性能的影响。通过改变表面正电荷浓度大小从10^(12)cm^(-2)增加至3×1013cm^(-2),器件击穿电压先快速减小,后趋于平缓。随表面负电荷浓度大小从10^(12)cm^(-2)增加至3×...
关键词：GaN基高电子迁移率晶体管 表面电荷 二维电子气 击穿特性 输出特性 
不同温度下GaN基HEMT器件氢效应试验研究
《电子质量》2021年第7期107-111,共5页裴选 席善斌 汪鑫 王金延 王晨 
该文开展不同温度下GaN基HEMT器件氢气效应的试验研究。通过对比不同氢浓度和不同温度条件下器件变化情况,试验发现常温下不同浓度氢气处理对器件电学特性无显著影响。氢气环境对GaN基HEMT器件栅电流影响似乎存在一个75℃~160℃温度区...
关键词：GAN基HEMT 氢效应 温度 
晶格匹配InAlN/GaN HEMT沟道温度评估方法研究
《微电子学》2020年第6期903-909,共7页金宁 陈雷雷 曹艳荣 梁海莲 闫大为 顾晓峰 
国家自然科学基金资助项目(61504050)。
首先分别利用直流电学法、脉冲电学法和微区拉曼光谱法测量了晶格匹配InAlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的沟道温度,然后评估了各类评估方法的准确性。结果表明:直流电学法获得的温度值远低于拉曼光谱法,严重低估了HEMT工作时的沟道温...
关键词：GAN基HEMT 沟道温度 拉曼光谱 微光显微镜 
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