刘中涛

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：清华大学电子工程系更多>>
发文主题：BCLAL2O3感应耦合等离子体蓝宝石刻蚀速率更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《光电子．激光》《半导体光电》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划北京市科委基金更多>>
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基于BCl_3感应耦合等离子体的蓝宝石光滑表面刻蚀被引量：1
《光电子．激光》2007年第9期1078-1081,共4页薛小琳 韩彦军 张贤鹏 江洋 马洪霞 刘中涛 罗毅 
国家自然科学基金资助项目(60223001;60244001;60290084);国家"973"基础科学研究资助项目(G2000-03-6601);国家"863"计划资助项目(2001AA313130;2004AA31G060);北京市科委资助项目(D0404003040321)
利用Ar/BCl3、Cl2/BCl3和SF6/BCl3感应耦合等离子体(ICP),研究了蓝宝石(Al2O3)材料的干法刻蚀特性。实验表明,优化BCl3含量(80%),可以提高对Al2O3衬底的刻蚀速率;在BCl3刻蚀气体中加入20%的Ar气可以在高刻蚀速率下同时获得优于未刻蚀Al...
关键词：蓝宝石(Al2O3) 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀 Ar/BCl3 表面平整度 刻蚀速率 
热退火对Mg掺杂InGaN/GaN异质结特性的影响
《半导体光电》2007年第4期507-511,515,共6页刘中涛 韩彦军 张贤鹏 薛小琳 陈栋 汪莱 罗毅 
国家自然科学基金项目(60536020;60390074);国家"973"计划项目(2006CB302801;2006CB302804;2006CB302806);国家"863"计划项目(2006AA03A105);北京市科委重大计划项目(D0404003040321)
系统地研究了氧气氛围中退火温度对Mg掺杂InGaN/GaN异质结电学特性及光学性能的影响。电流电压特性和表面方块电阻的测试表明,与p-GaN相比,p-InGaN/GaN异质结的最佳退火温度较低,而且容易与非合金化的Ni/Au电极形成欧姆接触。分析认为In...
关键词：p-InGaN/GaN异质结 退火 光致荧光 欧姆接触 
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