带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究  

Study on InP/InGaAs/lnP DHBT Structure with Step-graded Composite Collector

作　　者：艾立鹍[1] 徐安怀[1] 孙浩[1] 朱福英[1] 齐鸣[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

出　　处：《固体电子学研究与进展》2008年第1期138-141,148,共5页Research & Progress of SSE

基　　金：国家重点基础研究规划(973)项目(批准号:2002CB311902);国家自然科学基金项目(批准号:60676062)

摘　　要：设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质量的InP、InGaAs以及与InP晶格相匹配的不同禁带宽度的InGaAsP外延材料。在此基础上,成功地生长出带有阶梯缓变集电区结构的InP基DHBT结构材料。A new InP/InGaAs/InP DHBT structure with step-graded composite collector has been designed and grown in this work.Two InGaAsP layers with different band gaps were inserted between collector and base to eliminate the carrier blocking effect.The InP/InGaAs/InP DHBT structures were grown by gas source molecular beam epitaxy.A good crystalline quality of InP,InGaAs and InGaAsP materials was obtained through optimizing the growth conditions.The InP/InGaAs/InP DHBT structures were also grown successfully.

关 键 词：双异质结双极晶体管 气态源分子束外延 磷化铟 阶梯缓变集电区 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]