气态源分子束外延

作品数：24被引量：33H指数：2
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探究GSMBE制备GaAsBi薄膜中生长条件对Bi浓度的影响
《材料科学与工程学报》2017年第3期352-357,共6页崔健 潘文武 吴晓燕 陈其苗 刘娟娟 张振普 王庶民 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2014CB643902);国家自然科学基金关键资助项目(61334004)
为了探究GaAsBi薄膜生长中生长条件与Bi浓度的关系,我们利用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过改变每个GaAsBi单层的生长温度、AsH_3压和Bi源温度,在半绝缘GaAs(100)衬底上生长GaAsBi的多层结构。通过二次离子质谱(SIMS)及透射电镜X光谱...
关键词：GaAsBi 气态源分子束外延 生长温度 AsH3压 Bi源温度 
2～3微米波段InP基无锑激光器和光电探测器被引量：1
《红外与毫米波学报》2016年第3期275-280,共6页张永刚 顾溢 陈星佑 马英杰 曹远迎 周立 奚苏萍 杜奔 李爱珍 李好斯白音 
973项目基金(2012CB619200;2014CB643900);国家自然科学基金(61275113;61204133;61405232;61334004)~~
介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2～3μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索，包括采用赝配三角形量子阱方案的2～2．5μm波段I型InGaAs多量子阱激光器、采用虚拟衬底异变方案的2．5～3μm波段I型InAs多量子阱激光器、...
关键词：半导体激光器 光电探测器 磷化铟基 无锑 气态源分子束外延 
新结构InGaP/GaAs/InGaP DHBT生长及特性研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2010年第1期23-26,68,共5页艾立鹍 徐安怀 孙浩 朱福英 齐鸣 
国家自然科学基金项目(60676062);国家重点基础研究发展计划(973)项目(2010CB327502);中科院上海微系统所青年创新基金项目(2009QNCX05)
设计并生长了一种新的InGaP/GaAs/InGaP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入n+-InGaP插入层结构,以解决InGaP/GaAs/InGaP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质...
关键词：双异质结双极晶体管 气态源分子束外延 砷化镓 
GSMBE生长的非均匀多纵模量子点激光器
《半导体技术》2008年第9期762-765,共4页何焜 龚谦 李世国 李健 
国家自然科学基金资助项目(60576009)
报道了InAs/GaAs量子点激光器GSMBE生长,激光器器件有源区包含了层叠的5层InAs量子点微结构。AFM显微图像显示相同生长条件下的未覆盖表层量子点样品呈现出不均匀的多模尺寸分布。制作了脊条宽为6μm,腔长为1.5 mm的未镀膜激光器器件,...
关键词：自组织 量子点 量子点激光器 多纵模 气态源分子束外延 
波长延伸(1.7～2.7μm)InGaAs高速光电探测器的研制被引量：1
《红外与激光工程》2008年第S3期38-41,共4页张永刚 顾溢 王凯 李成 李爱珍 郑燕兰 
国家973部分资助项目(2006CB604903)
采用气态源分子束外延方法和化合物半导体工艺研制了波长延伸的InGaAs探测器,其室温下的截止波长已由1.7μm拓展至2.7μm。对此探测器系列的特性进行了细致的测量表征,结果表明此类探测器十分适合在室温条件下工作,且在热电制冷温度下...
关键词：光电探测器 化合物半导体 铟镓砷 气态源分子束外延 
带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2008年第1期138-141,148,共5页艾立鹍 徐安怀 孙浩 朱福英 齐鸣 
国家重点基础研究规划(973)项目(批准号:2002CB311902);国家自然科学基金项目(批准号:60676062)
设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)...
关键词：双异质结双极晶体管 气态源分子束外延 磷化铟 阶梯缓变集电区 
InGaAs/InP光伏探测器阵列钝化工艺及均匀性研究被引量：2
《半导体光电》2008年第1期60-63,共4页田招兵 张永刚 顾溢 祝向荣 郑燕兰 
通过对气态源分子束外延结合常规器件工艺研制的晶格匹配InGaAs/InP光伏型探测器阵列光响应和暗电流特性的表征和比较,研究了聚酰亚胺和氮化硅两种钝化工艺对阵列器件性能和均匀性的影响,并对两种不同钝化膜阵列器件后续封装的可靠性进...
关键词：INGAAS 光伏探测器 焦平面阵列 钝化 气态源分子束外延 
中科院上海微系统所短波红外研究获突破
《光机电信息》2007年第11期70-71,共2页
针对波长扩展器件中InGaAs线性缓冲层对所需探测光有较强吸收不利于阵列规模提高和同质pn结不利于探测性能提高的问题，依据微系统所在Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料与器件及分子束外延技术方面的多年积累和优势，结合气态源分子束外延的特...
关键词：微系统 中科院 短波红外 上海 化合物半导体材料 气态源分子束外延 分子束外延技术 InGaAs 
重碳掺杂p型GaAsSb的GSMBE生长及其特性被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第11期1765-1768,共4页孙浩 齐鸣 徐安怀 艾立鹍 朱福英 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311902);国家自然科学基金(批准号:60676062)资助项目~~
以四溴化碳(CBr4)作为碳掺杂源,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长了InP衬底上晶格匹配的重碳掺杂p型GaAsSb材料.通过改变CBr4压力,研究了掺杂浓度在(1～20)×1019cm-3范围内的掺杂特性,得到的最大掺杂浓度为2.025×1020cm-3,相应的...
关键词：异质结双极晶体管 INP GAASSB 碳掺杂 气态源分子束外延 
我国研究人员对短波红外InGaAs探测器研究提出创新性结构
《传感器世界》2007年第10期47-47,共1页
中科院上海微系统与信息技术研究所科研人员针对波长扩展器件中InGaAs线性缓冲层对所需探测光有较强吸收，不利于阵列规模提高及同质Dn结不利于探测性能提高的问题，依据其在Ⅲ-V族化合物半导体材料与器件及分子束外延技术方面多年积累...
关键词：INGAAS 层结构 短波红外 研究人员 创新 探测器 化合物半导体材料 气态源分子束外延 
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