我国研究人员对短波红外InGaAs探测器研究提出创新性结构  

出　　处：《传感器世界》2007年第10期47-47,共1页Sensor World

摘　　要：中科院上海微系统与信息技术研究所科研人员针对波长扩展器件中InGaAs线性缓冲层对所需探测光有较强吸收，不利于阵列规模提高及同质Dn结不利于探测性能提高的问题，依据其在Ⅲ-V族化合物半导体材料与器件及分子束外延技术方面多年积累的经验和优势，结合气态源分子束外延的特点和优势提出了一种创新的普适宽带缓冲层和窗口层结构并申请了国家发明专利（200710041778．7）。

关 键 词：INGAAS 层结构 短波红外 研究人员 创新 探测器 化合物半导体材料 气态源分子束外延 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]