中科院上海微系统所短波红外研究获突破  

出　　处：《光机电信息》2007年第11期70-71,共2页OME Information

摘　　要：针对波长扩展器件中InGaAs线性缓冲层对所需探测光有较强吸收不利于阵列规模提高和同质pn结不利于探测性能提高的问题，依据微系统所在Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料与器件及分子束外延技术方面的多年积累和优势，结合气态源分子束外延的特点和优势，中科院上海微系统与信息技术研究所的科研人员提出了一种创新的普适宽带缓冲层和窗口层结构（并申请了发明专利200710041778．7）。

关 键 词：微系统 中科院 短波红外 上海 化合物半导体材料 气态源分子束外延 分子束外延技术 InGaAs 

分 类 号：TH-39[机械工程]