刘跳

作品数：5被引量：9H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：INPINGAAS/INP极压跨阻放大器长波更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微纳电子技术》《半导体技术》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
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f_T=140GHz,f_(max)=200GHz的超高速InP DHBT被引量：2
《半导体技术》2011年第10期743-746,共4页蔡道民 李献杰 赵永林 刘跳 高向芝 郝跃 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB327603)
InP/InGaAs/InP DHBT具有频带宽、电流驱动能力强、线性好、相位噪声低和阈值电压一致性好等优点成为研究热点。通过优化外延材料结构设计和采用四元InGaAsP缓变层消除集电结电流阻塞效应;改进发射极-基极自对准工艺和集电区台面侧向腐...
关键词：双异质结双极晶体管(DHBT) 缓变层 发射极-基极自对准 空气桥 侧向腐蚀 
基于InGaAs/InP SHBT技术的10Gb/s单片跨阻放大器研究被引量：1
《半导体技术》2009年第7期701-703,共3页蔡道民 李献杰 赵永林 曾庆明 刘跳 郝跃 
介绍了采用传统的三台面工艺,利用湿法选择腐蚀形成发射极-基极自对准的InGaAs/InP单异质结双极性晶体管(SHBT)技术实现传输速率为10Gb/s跨阻放大器。其中SHBT获得了在Ic=10mA,Vce=2V时,fT和fmax分别为60、75GHz,电流密度为100kA/cm2,...
关键词：单异质结双极性晶体管 发射极-基极自对准 隔离基极压点 跨阻放大器 
中波-长波双色量子阱红外探测器被引量：5
《微纳电子技术》2008年第12期689-693,共5页赵永林 李献杰 刘英斌 齐利芳 过帆 蔡道民 尹顺政 刘跳 
电子支撑项目资助(41501070402)
采用n型掺杂的AlGaAs/GaAs和AlGaAs/InGaA多量子阱材料,基于MOCVD外延生长技术,利用成熟的GaAs集成电路加工工艺,设计并制作了不同结构的中波-长波双色量子阱红外探测器(QWIP)器件,器件采用正面入射二维光栅耦合,光栅周期设计为4μm,宽...
关键词：量子阱红外探测器 双色 暗电流密度 响应光谱 探测率 二维光栅 
InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管技术研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期391-393,共3页蔡道民 李献杰 赵永林 刘跳 林涛 江李 马晓宇 
国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312040)和国家重点基础研究发展规划(批准号:2003CB314901)资助项目
介绍了InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT)材料生长、器件结构与设计、制作工艺和性能测试以及在振荡器中的应用等方面的研究.采用发射极-基极自对准工艺制作了InP/InGaAs/InP DHBT器件,发射极尺寸为1.5μm×10μm的器件小电流直...
关键词：INP 双异质结晶体管 自对准 
InGaAs(InAlAs)/InP和InP/InAlAs湿法选择腐蚀研究
《微纳电子技术》2005年第11期515-517,共3页赵永林 蔡道明 周州 郭亚娜 刘跳 
国家高技术研究发展计划(863计划)项目(2001AA312040)
介绍了两种选择腐蚀液对InGaAs(InAlAs)I/nP和InPI/nAlAs异质结构材料选择腐蚀的实验结果,重点介绍在InAlAs上面生长InP的湿法选择腐蚀,用HClH∶3PO4C∶H3COOH系列腐蚀液,InPI/nAlAs选择比大于300。InPI/nAlAs湿法选择腐蚀的结果可以很...
关键词：湿法选择腐蚀 选择比 InP/InAlAs 光电子集成电路 
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