InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管技术研究  

Investigation of InP/InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor

作　　者：蔡道民[1] 李献杰[1] 赵永林[1] 刘跳[1] 林涛[1] 江李[1] 马晓宇[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄,050051 中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄,050051 中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄,050051 中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄,050051 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期391-393,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312040)和国家重点基础研究发展规划(批准号:2003CB314901)资助项目

摘　　要：介绍了InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT)材料生长、器件结构与设计、制作工艺和性能测试以及在振荡器中的应用等方面的研究.采用发射极-基极自对准工艺制作了InP/InGaAs/InP DHBT器件,发射极尺寸为1.5μm×10μm的器件小电流直流增益β约25,集电极-发射极击穿电压BVCEO≥10V,截止频率,ft和最高振荡频率,fmax分别为50和55GHz;

关 键 词：INP 双异质结晶体管 自对准 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]