江李

作品数：5被引量：3H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：MOCVD生长OEIC异质结双极晶体管磷化铟半导体激光器更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《激光与红外》《Journal of Semiconductors》更多>>
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InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管技术研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期391-393,共3页蔡道民 李献杰 赵永林 刘跳 林涛 江李 马晓宇 
国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312040)和国家重点基础研究发展规划(批准号:2003CB314901)资助项目
介绍了InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT)材料生长、器件结构与设计、制作工艺和性能测试以及在振荡器中的应用等方面的研究.采用发射极-基极自对准工艺制作了InP/InGaAs/InP DHBT器件,发射极尺寸为1.5μm×10μm的器件小电流直...
关键词：INP 双异质结晶体管 自对准 
InP基长波长光发射OEIC材料的MOCVD生长
《Journal of Semiconductors》2005年第2期319-323,共5页江李 林涛 韦欣 王国宏 张广泽 张洪波 马骁宇 李献杰 
国家高技术研究发展计划资助项目 (批准号 :2 0 0 2AA3 12 0 40 )~~
为了生长制作器件所需的外延片 ,采用低压金属有机物化学气相沉积方法在半绝缘InP衬底上生长了InP/InGaAs异质结双极晶体管 (HBT)结构、1 5 5 μm多量子阱激光二极管以及两者集成的光发射光电集成电路材料结构 .激光器结构的生长温度为 ...
关键词：金属有机化学气相沉积 光电集成电路 异质结双极晶体管 激光二极管 磷化铟 
大功率670nm半导体激光器的研制被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第z1期176-179,共4页林涛 江李 王俊 谭满清 刘素平 韦欣 王国宏 马骁宇 
采用低压金属有机化学气相沉积生长了670nm激光器外延片,有源区采用单量子阱结构,阱区、垒区分别为InGaAsP和AlGaInP.利用该外延片制作了带无电流注入区的氧化物条形激光器.激光器腔长为900μm,电流注入区条宽为100μm,两端的无注入区...
关键词：670nm 半导体激光器 金属有机化学气相沉积 腔面光灾变 
卢瑟福背散射实验确定离子注入型半导体可饱和吸收镜研制过程中的注入剂量研究
《光电子技术与信息》2003年第6期17-19,共3页王勇刚 马骁宇 江李 林涛 刘媛媛 
通过测量卢瑟福背散射沟道谱和随机谱,掌握了一种可以对制作离子注入型半导体可饱和吸收镜过程中离子注入的剂量进行选择的方法。
关键词：卢瑟福背散射实验沟道效应 半导体可饱和吸收镜 离子注入 
一种新型垂直外腔面发射半导体激光器被引量：1
《激光与红外》2003年第6期406-408,共3页王勇刚 马骁宇 江李 张志刚 
概述了近几年国外发展起来的一种新型半导体激光器光源:垂直外腔面发射激光器,详细介绍了它在光束质量方面的优点,研制方法以及工艺上的特点。
关键词：半导体激光器 垂直外腔面发射激光器 光束质量 倍频 锁模 
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