张洪波

作品数：4被引量：3H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：锥形增益量子阱激光器应变量子阱激光器大功率半导体激光器大功率更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《光电子技术》《光子学报》《中国激光》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划更多>>
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带有锥形增益区14xxnm量子阱激光器的研制
《光子学报》2005年第4期496-498,共3页张洪波 韦欣 朱晓鹏 王国宏 张敬明 马骁宇 
国家 863计划(2001AA312270)资助项目
利用MOCVD生长了14xxnmAlGaInAs/AlInAs/InP应变量子阱外延片 采用带有锥形增益区脊型波导结构和普通条形脊型波导结构在相同的实验条件下制作800μm腔长激光器管芯,在相同的驱动电流下前者可以获得更高的输出光功率,而且P Ⅰ曲线线性...
关键词：14xxnm抽运源 锥形增益区 量子阱激光器 
高饱和电流14xxnm应变量子阱激光器的研制
《中国激光》2005年第2期161-163,共3页张洪波 韦欣 朱晓鹏 王国宏 张敬明 马骁宇 
国家863计划(2001AA312270)资助项目
　报道了14xx nm应变量子阱(SQW)激光器管芯的研制成果。通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长工艺生长14xx nm AlGaInAs/AlInAs/InP应变量子阱外延片,采用带有锥形增益区的脊型波导结构制作激光器管芯。生长好的外延片按照双沟脊型波...
关键词：激光技术 应变量子阱激光器 光纤拉曼放大器 14xx nm抽运源 锥形增益区 
InP基长波长光发射OEIC材料的MOCVD生长
《Journal of Semiconductors》2005年第2期319-323,共5页江李 林涛 韦欣 王国宏 张广泽 张洪波 马骁宇 李献杰 
国家高技术研究发展计划资助项目 (批准号 :2 0 0 2AA3 12 0 40 )~~
为了生长制作器件所需的外延片 ,采用低压金属有机物化学气相沉积方法在半绝缘InP衬底上生长了InP/InGaAs异质结双极晶体管 (HBT)结构、1 5 5 μm多量子阱激光二极管以及两者集成的光发射光电集成电路材料结构 .激光器结构的生长温度为 ...
关键词：金属有机化学气相沉积 光电集成电路 异质结双极晶体管 激光二极管 磷化铟 
泵浦用大功率半导体激光器研制与应用发展状况被引量：3
《光电子技术》2003年第4期250-253,共4页王勇刚 马骁宇 张洪波 刘媛媛 
详尽地介绍了当前可以使用半导体泵浦的固体激光器泵浦要求 ,相应的半导体泵浦源的发展状况 ,存在的问题 ,最后介绍了列阵和耦合两种提高半导体泵浦源功率 ,改善其光束质量的方法。
关键词：大功率 半导体激光器 半导体泵浦 固体激光器 列阵 耦合 
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