应变量子阱激光器

作品数：35被引量：32H指数：3
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980nm应变量子阱激光器外延层工艺参数的优化设计被引量：5
《重庆邮电大学学报（自然科学版）》2012年第2期212-216,221,共6页张莹 宋爱民 王培界 
对980 nm应变量子阱激光器的外延层工艺参数进行优化设计。通过理论计算和软件模拟相结合的方法,优化了量子阱的结构,研究了波导层、包层中的Al组分对量子阱激光器效率的影响。根据优化结果,采用金属有机化合物化学气相淀积(metal organ...
关键词：单量子阱 压应变 AL组分 金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD) 转换效率 
InGaAs/GaAs应变量子阱激光器线宽展宽因子的理论研究被引量：2
《物理学报》2012年第5期203-209,共7页张帆 李林 马晓辉 李占国 隋庆学 高欣 曲轶 薄报学 刘国军 
国家自然科学基金(批准号:60976038;61006039);高功率半导体激光国家重点实验室基金(批准号:010602)资助的课题~~
详细地介绍了计算线宽展宽因子(α因子)的理论基础及推导过程,建立了α因子的简便模型.该模型分别考虑了带间跃迁、带隙收缩和自由载流子效应对α因子的影响,利用不同载流子浓度下的增益曲线得到光子能量随载流子浓度的变化速率以及微...
关键词：INGAAS/GAAS 线宽展宽因子 应变量子阱 增益 
半导体所制成高温连续激射2μm波段锑化物量子阱激光器
《红外》2011年第8期F0004-F0004,共1页
据www.cas.cn网站报道,近日,中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室与超晶格国家重点实验室分子束外延（MBE）课题组合作,采用分子束外延技术生长制成InGaSb/AlGaAsSb应变量子阱激光器,实现了高工作温度（T=80℃）下连续激射（激射波...
关键词：中国科学院半导体研究所 应变量子阱激光器 激射波长 分子束外延技术 锑化物 国家重点实验室 波段 高温 
半导体所制成高温连续激射2微米波段锑化物量子阱激光器
《今日电子》2011年第7期27-27,共1页
近日,中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室与超晶格国家重点实验室分子束外延（MBE）课题组合作,采用分子束外延技术生长的InGaSb/AlGaAsSb应变量子阱激光器.
关键词：中国科学院半导体研究所 应变量子阱激光器 分子束外延技术 锑化物 米波段 国家重点实验室 激射 高温 
高温连续激射2μm波段锑化物量子阱激光器
《功能材料信息》2011年第3期55-56,共2页
近日，中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室与超晶格国家重点实验室分子束外延（MBE）课题组合作，采用分子束外延技术生长的InGaSb／AlGaAsSb应变量子阱激光器，实现了高工作温度（T=80℃）连续激射，激射波长2μm出光功率63．7mW...
关键词：应变量子阱激光器 激射波长 中国科学院半导体研究所 分子束外延技术 锑化物 国家重点实验室 波段 高温 
InGaAs/GaAs应变量子阱激光器MOCVD生长研究被引量：8
《光电子．激光》2010年第2期163-165,共3页刘安平 段利华 周勇 
重庆市科委自然科学基金资助项目(2007BB2120)
采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了InGaAs/GaAs应变量子阱(QW),通过降低生长温度、提高生长速度以及采用应变缓冲层(SBL)结构,改善了应变QW生长表面质量和器件荧光(PL)谱特性,实验表明,通过优化工艺条件和采用SBL等手段提高...
关键词：金属有机物化学气相淀积(MOCVD) InGaAs/GaAs量子阱(QW) 应变缓冲层(SBL) 
俄歇复合对应变量子阱激光器阂值电流的影响被引量：1
《量子电子学报》2007年第1期105-109,共5页贾国治 姚江宏 刘国梁 柏天国 刘如彬 邢晓东 
国家自然科学基金(60476042);长江学者和创新团队发展计划资助
通过考虑不同因素对压应变和张应变量子阱激光器阈值电流和特征温度的影响,得到了俄歇复合和非俄歇复合对阈值电流起主要作用的转变温度Tc,小于Tc时,主要是非俄歇复合;大于Tc时,主要是俄歇复合,而且张应变量子阱激光器转变温度要比压应...
关键词：光电子学 俄歇复合 应变量子阱 阈值电流密度 特征温度 
高特征温度应变量子阱激光器材料设计与生长
《长春理工大学学报（自然科学版）》2006年第4期1-4,15,共5页王玉霞 李辉 刘春玲 
武器装备预研基金项目(51456010103zk1001)
为了解决半导体激光器在高温、高功率情况下工作时出现的阈值电流升高,波长飘移,发光效率下降等问题,设计并生长了一种具有高特征温度A lInGaAs/A lGaAs应变量子阱激光器。首先从理论上剖析影响半导体激光器特征温度的主要因素。分析了...
关键词：高特征温度 分子束外延(MBE) 俄歇复合 AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器 
高饱和电流14xxnm应变量子阱激光器的研制
《中国激光》2005年第2期161-163,共3页张洪波 韦欣 朱晓鹏 王国宏 张敬明 马骁宇 
国家863计划(2001AA312270)资助项目
　报道了14xx nm应变量子阱(SQW)激光器管芯的研制成果。通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长工艺生长14xx nm AlGaInAs/AlInAs/InP应变量子阱外延片,采用带有锥形增益区的脊型波导结构制作激光器管芯。生长好的外延片按照双沟脊型波...
关键词：激光技术 应变量子阱激光器 光纤拉曼放大器 14xx nm抽运源 锥形增益区 
大应变In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs量子阱激光器的生长和研究被引量：1
《量子电子学报》2003年第6期707-710,共4页潘教青 黄柏标 张晓阳 任忠祥 秦晓燕 朱宝富 李先林 
金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长应变InGaAs/GaAs量子阱,应变缓冲层结合生长中断改善量子阱的PL谱特性.用该量子阱制备的激光器有很低的阈值电流密度(43 A/cm^2)和较高的斜率效率(0.34W/A,per facet)。
关键词：金属有机物化学气相沉积 生长中断 应变缓冲层 应变量子阱激光器 INGAAS/GAAS量子阱 
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