半导体所制成高温连续激射2μm波段锑化物量子阱激光器  

出　　处：《红外》2011年第8期F0004-F0004,共1页Infrared

摘　　要：据www.cas.cn网站报道,近日,中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室与超晶格国家重点实验室分子束外延（MBE）课题组合作,采用分子束外延技术生长制成InGaSb/AlGaAsSb应变量子阱激光器,实现了高工作温度（T=80℃）下连续激射（激射波长为2μm,出光功率为63.7 mW）,达到了国内领先水平。

关 键 词：中国科学院半导体研究所 应变量子阱激光器 激射波长 分子束外延技术 锑化物 国家重点实验室 波段 高温 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学]