高温连续激射2μm波段锑化物量子阱激光器  

机构地区：[1]中科院半导体研究所

出　　处：《功能材料信息》2011年第3期55-56,共2页Functional Materials Information

摘　　要：近日，中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室与超晶格国家重点实验室分子束外延（MBE）课题组合作，采用分子束外延技术生长的InGaSb／AlGaAsSb应变量子阱激光器，实现了高工作温度（T=80℃）连续激射，激射波长2μm出光功率63．7mW，达到国内领先水平。

关 键 词：应变量子阱激光器 激射波长 中国科学院半导体研究所 分子束外延技术 锑化物 国家重点实验室 波段 高温 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]