云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 阈值电流密度

阈值电流密度: 作品数：24被引量：94H指数：6; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：张晓霞潘炜徐刚毅李爱珍王宇飞更多>>; 相关机构：中国科学院曲阜师范大学长春理工大学北京工业大学更多>>; 相关期刊：《红外与毫米波学报》《半导体技术》《华南理工大学学报（自然科学版）》《红外与激光工程》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技攻关计划山东省自然科学基金更多>>

有源区Be掺杂对1.3μm InAs量子点激光器性能的影响: 《红外与毫米波学报》2023年第4期450-456,共7页杜安天曹春芳韩实现王海龙龚谦; 国家自然科学基金(61674096)。; 利用分子束外延技术在GaAs(100)衬底上生长了1.3μm InAs DWELL量子点激光器结构,研究了有源区Be掺杂对量子点激光器性能的影响。研究表明,对有源区进行Be掺杂可以有效降低InAs量子点激光器的阈值电流密度,提升激光器的输出功率,增加激...; 关键词：量子点激光器分子束外延阈值电流密度输出功率特征温度

基于模式扩展层结构的980 nm小发散角半导体激光器模拟研究被引量：2: 《现代物理》2018年第6期265-270,共6页曾丽娜李林李再金赵志斌曲轶彭鸿雁; 海南省自然科学基金(2018CXTD336,618MS055,618QN241)资助。; 为了获得小垂直发散角和较低阈值电流密度,本文设计了一种基于模式扩展层结构的980 nm In-GaAs/GaAs/AlGaAs单量子阱激光器新型结构。通过Crosslight软件模拟优化,研究了模式扩展层和低折射率层对激光器的垂直发散角及阈值电流密度的影...; 关键词：半导体激光器垂直发散角阈值电流密度限制因子模式扩展层

2.0μm中红外量子阱激光器研制及其性能测试与分析被引量：2: 《光电子．激光》2018年第9期933-937,共5页杨维凯王海龙曹春芳严进一赵旭熠周长帅龚谦; 国家自然科学基金(61674096);山东省自然科学基金(ZR2014FM011)资助项目; 利用固态源分子束外延技术在GaSb衬底上生长InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器结构,研制了激射波长为2.0μm波段的GaSb基量子阱激光器。测量了激光器的阈值电流密度随激光器腔长的变化规律,得出无限腔长时器件的阈值电流密度为135A/cm^2,...; 关键词：分子束外延阈值电流密度量子阱激射波长

1.3μm波段InAs/GaAs量子点激光器性能研究被引量：2: 《通信技术》2018年第6期1268-1272,共5页杨维凯王海龙曹春芳严进一周长帅龚谦; 国家自然科学基金(No.61674096);山东省自然科学基金(No.ZR2014FM011)~~; 利用气态源分子束外延技术在GaAs衬底上生长InAs量子点材料,研制出激射波长为1.3μm波段由5层量子点组成的3 mm腔长、3μm脊条宽度的InAs/GaAs量子点激光器。在室温连续波模式下,研究了激光器的输出性能和光谱性能,激光器的阈值电流为91...; 关键词：量子点激光器分子束外延阈值电流密度特征温度

双轴张应变对锗激光器工作性能的影响: 《华南理工大学学报（自然科学版）》2017年第7期120-125,共6页李希越李斌 XIA Guangrui; 广东省重大科技专项(2015B090912002;2014B090912001);广州市"菁英计划"留学项目(穗教科[2013]94)~~; 为探索锗激光器的性能优化方案,建立了基于双轴张应变的双异质结法布里-珀罗电激励式边缘发射锗激光器模型.通过该模型讨论了双轴张应变与最优掺杂密度的关系,分析了不同双轴张应变和掺杂条件下阈值电流密度、电光转换效率等激光器参数...; 关键词：锗激光器双轴张应变最优掺杂密度光增益阈值电流密度电光转换效率

大功率低阈值半导体激光器研究被引量：17: 《中国激光》2016年第5期1-6,共6页刘梦涵崔碧峰何新孔真真李莎黄欣竹; 国家自然科学基金(11204009);北京市教委创新能力提升计划(TJSHG201310005001);北京市自然科学基金(4142005); 针对大光腔结构往往导致阈值电流密度增大的矛盾,设计了一种具有较高势垒高度的三量子阱有源区。采用非对称宽波导结构的半导体激光器,该激光器在实现大光腔结构的同时保持阈值电流密度不增加。通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长In...; 关键词：激光器半导体激光器大光腔阈值电流密度垂直发散角

Optimal quantum well width and the effect of quantum well position on the performance of transistor lasers: 《Optoelectronics Letters》2013年第1期18-20,共3页Md. Ahsan Habib Subrata Das Saeed Mahmud Ullah Shahida Rafique; Transistor laser (TL) model based on InGaP/GaAs/InGaAs/GaAs is analyzed and presented. It is realized that quantum well (QW) with width of 10 nm may be formed for low base threshold current density J th . The emission...; 关键词：量子阱激光器晶体管宽度位置性能阈值电流密度发射波长

超低阈值横向腔光子晶体面发射激光器被引量：4: 《红外与激光工程》2012年第12期3198-3201,共4页郑婉华王宇飞周文君渠红伟张建心齐爱谊刘磊; 国家高技术研究发展计划(2012CB933501;2011CB922002);国家自然科学基金(61025025;61137003;60838003); 首次在无DBR结构的商业外延波导晶片上实现了电泵横向腔光子晶体面发射激光器(LC-PCSEL)。深孔刻蚀技术使光子晶体深达2.6μm,穿透有源区,对有源区的模式直接调制。通过较小区域的光子晶体与FP腔的融合集成,利用带边模式Γ2-1的横向振...; 关键词：光子晶体激光器面发射横向腔阈值电流密度

空间辐射环境对激光光源阈值电流特性的影响: 《激光与红外》2012年第6期646-650,共5页侯睿赵尚弘幺周石胥杰徐雪洁石磊; 国家高技术研究发展计划"863"项目(No.2007AA01Z294);中国博士后科研基金项目(No.20090461466)资助; 激光光源是卫星光通信系统中重要的终端部件,其工作性能最终影响和制约着通信系统的稳定性和可靠性。对空间辐射环境下GaAs,InP激光有源材料的阈值电流密度变化进行了深入的理论研究。数值计算结果表明阈值电流密度的变化与辐射粒子注...; 关键词：激光光源空间辐射阈值电流密度真空环境

高效率高亮度半导体激光器技术进展被引量：11: 《半导体技术》2008年第9期748-751,755,共5页李晨刘英斌宋雪云; 半导体激光器在军事领域和工业领域有着广泛应用,近年在性能参数方面有许多引人瞩目的进展。综述了提高功率转换效率的技术方法和途径,指出经过工艺优化后焦耳热和阈值热将是未来激光器的主要研究内容,介绍了波长稳定的激光器的两种制...; 关键词：激光二极管功率转换效率阈值电流密度光束发散角近衍射极限

阈值电流密度