InP基长波长光发射OEIC材料的MOCVD生长  

InP Based Long Wavelength Transmitter OEIC Structure Grown by MOCVD

作　　者：江李[1] 林涛[1] 韦欣[1] 王国宏[1] 张广泽[1] 张洪波[1] 马骁宇[1] 李献杰[2] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心,北京100083 [2]河北半导体研究所,石家庄050051

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第2期319-323,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家高技术研究发展计划资助项目 (批准号 :2 0 0 2AA3 12 0 40 )~~

摘　　要：为了生长制作器件所需的外延片 ,采用低压金属有机物化学气相沉积方法在半绝缘InP衬底上生长了InP/InGaAs异质结双极晶体管 (HBT)结构、1 5 5 μm多量子阱激光二极管以及两者集成的光发射光电集成电路材料结构 .激光器结构的生长温度为 6 5 5℃ ,有源区为 5个周期的InGaAsP/InGaAsP多量子阱 (阱区λ =1 6 μm ,垒区λ =1 2 8μm) ;HBT结构则采用 5 5 0℃低温生长 ,其中基区采用Zn掺杂 ,掺杂浓度约为 2× 10 19cm-3 .对生长的各种结构分别进行了X射线双晶衍射 ,光致发光谱和二次离子质谱仪的测试 ,结果表明所生长的材料结构已满足制作器件的要求 .HBTs,1 55μm MQW-LDs,and related transmitter OEICs were grown on semiinsulated InP substrates by LP-MOCVD.LDs were grown at 655℃ with 5 wells in the active region,while HBTs were grown at a lower temperature of 550℃.The bases of HBTs were doped with Zn at a doping level of about 2×10 19cm -3.Each wafer was subjected to X-ray double crystal diffraction test,electrochemical capacitance-voltage test,PL test and SIMS test.The results show that the so grown material structures meet the requirements to fabricate devices.

关 键 词：金属有机化学气相沉积 光电集成电路 异质结双极晶体管 激光二极管 磷化铟 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]