云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 量子阱激光器

量子阱激光器: 作品数：275被引量：242H指数：6; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：陈良惠徐遵图张敬明徐俊英杨国文更多>>; 相关机构：中国科学院长春理工大学吉林大学中国科学院大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划河北省自然科学基金更多>>

高性能锑化物中红外半导体激光器的研究进展被引量：1: 《激光技术》2024年第6期790-798,共9页曹钧天杨成奥陈益航余红光石建美王天放闻皓冉王致远耿峥琦张宇赵有文吴东海徐应强倪海桥牛智川; 国家自然科学基金资助项目(62204238);山西省科技重大专项基金资助项目(202201030201009)。; 半导体材料体系经历了3次重要迭代,在微电子、通信、人工智能、碳中和等重要领域得到了广泛应用。随着高新技术的快速发展,锑化物半导体作为最具发展前景的第4代半导体材料之一,在开发下一代高性能、小体积、低功耗、低成本的红外光电...; 关键词：激光器锑化物中红外量子阱激光器

利用等效电路分析提高1550nm脉冲半导体激光发射模块性能: 《激光与光电子学进展》2024年第9期350-358,共9页李莉李林应家驹李刚王元铂; 为适应人眼安全激光主动探测应用对探测激光高功率、窄脉宽的要求,提出了一种利用等效电路模型分析提高1550nm脉冲半导体激光发射模块性能的方法。基于特定激光器参数建立对应的等效电路模型,并将模型引入发射模块脉冲驱动电路,通过仿...; 关键词：激光主动探测 1550nm多量子阱激光器等效电路高功率窄脉冲宽度

1300nm应变补偿量子阱激光器光电性能研究: 《激光与红外》2023年第10期1520-1526,共7页吴亚宁董海亮贾志刚贾伟梁建许并社; 国家自然科学基金项目(No.61904120,No.21972103,No.61604104,No.51672185);山西浙大新材料与化工研究院(No.2022SX-TD018,No.2021SX-AT001,002,003);山西省“1331工程”项目资助。; 为了提升1300nm半导体激光器的光电特性,采取k·p方法的激光器模拟软件SiLENSe设计了GaAsSb/GaAsP/InGaAsSb应变补偿激光器,调控了有源区的能带结构,并对该结构进行了仿真计算。结果表明,与传统InGaAsSb/GaAsSb有源区对比,应变补偿结构...; 关键词：半导体激光器有源区输出功率阈值电流能带结构

用于单片集成的硅基外延Ⅲ-Ⅴ族量子阱和量子点激光器研究: 《人工晶体学报》2023年第5期766-782,共17页王俊葛庆刘帅呈马博杰刘倬良翟浩林枫江晨刘昊刘凯杨一粟王琦黄永清任晓敏; 国家重点研发计划重点专项课题(2018YFB2200104);北京市自然科学基金(4232072);北京市科技计划课题(Z191100004819012);国家创新研究群体科学基金(62021005);信息光子学与光通信国家重点实验室(北京邮电大学)基金(IPOC2022ZZ01);高校学科创新引智计划(BP0719012,111基地);北京邮电大学研究生创新创业项目(2023-YC-A041,2023-YC-A046)。; 硅基光电子技术以光电子与微电子的深度融合为特征,是后摩尔时代的核心技术。硅基光电子芯片可以利用成熟的微电子平台实现量产,具有功耗低、集成密度大、传输速率快、可靠性高等优点,广泛应用于数据中心、通信系统等领域。除硅基激光器...; 关键词：硅基光电子硅基外延激光器无偏角Si(001)衬底量子阱激光器量子点激光器对称负极芯片结构

提高超大光腔波导结构半导体激光器功率效率的设计考虑被引量：1: 《红外与毫米波学报》2022年第6期958-964,共7页周坤何林安李弋贺钰雯杜维川刘晟哲张亮胡耀宋梁高松信唐淳; Supported by National Natural Science Foundation of China(11804322);the Innovation and Development Fund of CAEP(C-2020-CX2019035)。; 对976 nm波段超大光学腔结构半导体激光器的外延和谐振腔设计进行了数值研究。在量子阱层的下方和上方设计了模式控制层,以抑制快轴高阶模的激射。通过能带结构的调控抑制了电子泄漏,调控使得电子势垒从p波导层到p包层增加。优化后的外...; 关键词：量子阱激光器超大光腔载流子泄露效率

InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的温度电压特性被引量：3: 《发光学报》2020年第8期971-976,共6页李金友王海龙杨锦曹春芳赵旭熠于文富龚谦; 国家自然科学基金(61674096);山东省自然科学基金(ZR2019PA010)资助项目。; 研究了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器在不同温度下的电流-电压特性,并建立了一个理论模型进行描述。实验所用激光器腔长为0.3 mm,脊条宽度为3μm。实验测量得到该激光器在15~100 K的电压温度系数(d V/d T)为7.87~8.32 mV/K,在100~300 ...; 关键词：量子阱激光器 InGaAs/GaAs/InGaP 低温温度电压特性

2.75μm中红外GaSb基五元化合物势垒量子阱激光器被引量：5: 《中国激光》2020年第7期295-299,共5页袁野柴小力杨成奥张一尚金铭谢圣文李森森张宇徐应强宿星亮牛智川; 国家自然科学基金(61790582);广东省科技计划项目(2018B030329001)。; 设计制备了GaSb基I型InGaAsSb量子阱激光器,其激射波长为2。75μm。五元势垒材料AlGaInAsSb有效降低了势垒的价带能级并提高了价带带阶,使量子阱发光波长红移至2。75μm波段。通过优化分子束外延生长参数,得到了高发光效率的量子阱激光...; 关键词：激光器锑化物五元势垒量子阱中红外波段

低温下GaSb基量子阱激光器的光电特性研究被引量：1: 《通信技术》2020年第6期1336-1340,共5页李金友王海龙杨锦曹春芳赵旭熠龚谦; 国家自然科学基金(No.61674096);山东省自然科学基金(No.ZR2019PA010)。; 研究了GaSb基量子阱激光器在低温下的光电特性和功耗。实验结果表明8μm条宽激光器阈值电流Ith=12 mA,此时电压为3.46 V,功耗为41.52 mW;10μm条宽激光器阈值电流Ith=6 mA,此时电压为2.60 V,功耗为15.60 mW。在15 K下的光谱随着注入电...; 关键词：分子束外延量子阱 GaSb基电学特性功耗光谱

1.55μm AlGaInAs/InP小发散角量子阱激光器的仿真和制备（英文）被引量：2: 《红外与毫米波学报》2019年第4期412-418,共7页熊迪郭文涛郭小峰刘海峰廖文渊刘维华张杨杰曹营春谭满清; Supported by the Joint Science Foundation of Chinese Academy of Science; 理论仿真和实验制备了AlGaInAs/InP材料1.55 μm小发散角量子阱激光器.为了扩展近场光场并减小内损耗,将一个非对称模式扩展层插入到外延结构的下盖层当中.仿真结果表明,该模式扩展层除了少量增加激光器阈值电流以外,在不影响激光器其...; 关键词：铟磷基激光器发散角光场分布

InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光单模特性研究被引量：8: 《激光与光电子学进展》2019年第13期172-176,共5页汤瑜曹春芳赵旭熠杨锦李金友龚谦王海龙; 国家自然科学基金(61674096); 报道了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光光谱研究,并在法布里-珀罗(FP)腔激光器中发现了单模工作特性,且该单模工作特性可以在较大的工作电流范围内(36~68mA)存在,在一定的电流(14mA)范围内保持单模可调谐。在20℃,当器件注入电流为...; 关键词：激光器量子阱激光器法布里-珀罗腔 InGaAs/GaAs/InGaP 单模边模抑制比

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