尹顺政

作品数：14被引量：29H指数：4
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发文主题：光探测器单片集成光电探测器高速光电探测器紫外更多>>
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InGaAs/InP台面型pin高速光电探测器被引量：1
《微纳电子技术》2021年第3期196-200,共5页韩孟序 齐利芳 尹顺政 
介绍了一种应用于5G通信系统的高速光电探测器,设计了InP基台面型pin高速光电探测器材料结构,通过理论计算及软件模拟得到响应度和带宽随耗尽层厚度的变化规律,并对材料结构进行优化。制备了光敏面直径为20μm及耗尽层厚度分别为1.0、1....
关键词：光电探测器 INGAAS/INP 光通信 响应度 带宽 小信号模型 
10 Gbit/s台面型InGaAs/InP pin高速光电探测器被引量：5
《半导体技术》2018年第4期280-284,共5页李庆伟 李伟 齐利芳 尹顺政 张世祖 
利用数值计算方法分析了高速光电探测器的耗尽区宽度与响应度及响应速度的关系。分析结果表明,耗尽区宽度选择应在响应度和响应速度之间折中,在响应度满足使用要求的情况下,尽量提高响应速度。利用该分析结果设计了台面型In GaAs/InP pi...
关键词：光电探测器 INGAAS/INP 响应度 响应速度 台面腐蚀 
InP微透镜的设计与制作被引量：2
《微纳电子技术》2018年第4期296-301,共6页李庆伟 尹顺政 宋红伟 张世祖 蒋红旺 
高速光电探测器采用芯片背面带微透镜的背入射结构,利用微透镜对光的汇聚提高芯片与光纤的耦合效率。软件模拟发现,光敏面直径为30μm的芯片采用背入射结构时,其等效光敏面直径大于50μm,并且透镜拱高为8～15μm时,能更好实现对光的汇...
关键词：微透镜 高速光电探测器 磷化铟(InP) 胶型 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 
10 Gbit/s InGaAs/InP雪崩光电二极管被引量：1
《半导体技术》2017年第7期516-520,共5页尹顺政 郝文嘉 张宇 于浩 李庆伟 赵润 车相辉 
基于InGaAs/InP吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离雪崩光电二极管(SAGCM APD)器件结构,利用数值计算方法,模拟了各层参数对器件频率响应特性的影响。模拟结果表明,吸收层、倍增层厚度及电荷层面电荷密度可影响器件的-3dB带宽;随增益...
关键词：INGAAS/INP 吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离雪崩光电二极管(SAGCM APD) 雪崩 频率响应 光通信 
光通信用InGaAs/InP雪崩光电二极管被引量：1
《半导体技术》2016年第10期759-763,共5页尹顺政 齐利芳 赵永林 张豫黔 车向辉 张宇 
针对InGaAs/InP雪崩光电二极管（APD）器件结构,介绍了本地电场模型在器件设计上的应用。采用数值计算的方法,导出了吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离的（SAGCM）APD的电场分布。基于本地电场模型讨论了不同器件结构参数对器件穿通...
关键词：InP 吸收、渐变、电荷、倍增层分离结构的雪崩二极管(SAGCM APD) 雪崩 本地电场模型 光通信 
雪崩光电二极管芯片自动测试系统
《半导体技术》2015年第6期473-477,共5页杨红伟 张岩 齐利芳 尹顺政 
利用Keithley 2400源表、AV6381可编程光衰减器、AV 38124 1 550 nm单模半导体激光器和TZ-608B型光电屏蔽探针台搭建雪崩光电二极管芯片自动测试系统。在Labview环境下开发了自动测试软件,通过软件控制测量仪表,实现了雪崩光电二极管芯...
关键词：雪崩光电二极管芯片 击穿电压 穿通电压 暗电流 测试系统 
AlGaN/GaN异质结单片集成紫外/红外双色探测器被引量：4
《半导体技术》2014年第8期575-578,共4页齐利芳 李献杰 唐卓睿 尹顺政 赵永林 
采用分子束外延(MBE)技术在蓝宝石衬底上依次生长n+GaN下电极层、i型AlxGa1-xN势垒层和n+GaN发射极层,并通过半导体微细加工技术,制作了AlGaN/GaN异质结单片集成紫外/红外双色探测器。该器件利用不同的探测机理,同时实现了红外光和紫外...
关键词：紫外 红外 双色探测器 异质结 ALGAN GAN 
基于环形谐振腔的双波长半导体激光器的研制
《微纳电子技术》2014年第6期355-358,共4页齐利芳 李献杰 赵永林 蔡道民 尹顺政 高向芝 
国家自然科学基金资助项目(60706035);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB327603)
由于半导体环形激光器器件尺寸不再受解理面的限制,结构简单紧凑,容易集成,近年来成为集成光源领域的研究热点之一。采用MOCVD系统外延生长InAlGaAs多量子阱激光器材料,利用BCl3,Cl2和Ar刻蚀气体的ICP干法刻蚀技术和PECVD介质钝化工艺,...
关键词：双波长 环形激光器 谐振腔 单片集成 耦合波导 
长波双色Al_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱红外探测器的研制被引量：1
《微纳电子技术》2009年第7期396-399,共4页齐利芳 李献杰 赵永林 尹顺政 蔡道民 李宁 甄红楼 熊大元 陆卫 
介绍了长波双色AlxGa1-xAs/GaAs多量子阱红外探测器单元的设计、制作和测试。器件光敏面面积为300μm×300μm,光吸收峰值波长分别为10.8、11.6μm;采用垂直入射光耦合的工作模式,65K温度2V偏压下,两个多量子阱区的暗电流分别为4.23×1...
关键词：量子阱 红外探测器 双色 双周期光栅 长波 
直波导耦合输出AlGaInAs多量子阱环形激光器研究被引量：3
《科学通报》2009年第20期3088-3091,共4页李献杰 齐利芳 郭维廉 于晋龙 赵永林 蔡道民 尹顺政 毛陆虹 
国家自然科学基金(批准号:60706035);国家重点基础研究发展计划(编号:2003CB314901)资助项目
采用InP基InAlGaAs多量子阱激光器外延材料结构,利用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术和聚酰亚胺介质平坦化工艺,研制了多量子阱半导体环形激光器样品.该器件通过加正偏压的环形结构谐振腔实现光激射,然后借助紧邻的直线波导耦合将光...
关键词：多量子阱 环形激光器 直波导 双稳态 
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