直波导耦合输出AlGaInAs多量子阱环形激光器研究  

作　　者：李献杰[1] 齐利芳[1] 郭维廉[2] 于晋龙[2] 赵永林[1] 蔡道民[1] 尹顺政[1] 毛陆虹[2] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄050051 [2]天津大学电子信息工程学院,天津300072

出　　处：《科学通报》2009年第20期3088-3091,共4页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60706035);国家重点基础研究发展计划(编号:2003CB314901)资助项目

摘　　要：采用InP基InAlGaAs多量子阱激光器外延材料结构,利用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术和聚酰亚胺介质平坦化工艺,研制了多量子阱半导体环形激光器样品.该器件通过加正偏压的环形结构谐振腔实现光激射,然后借助紧邻的直线波导耦合将光信号输出.环形谐振腔直径为700μm,波导宽度为3μm.用光纤对准直线波导端口耦合测试了环形激光器的光功率-电流特性曲线和激射光谱,其阈值电流为120mA,在注入电流160mA时从直波导耦合输出得到激射光谱的中心波长为1602nm,并结合光功率-电流特性曲线对环形激光器中的工作模式进行了初步分析.

关 键 词：多量子阱 环形激光器 直波导 双稳态 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学]