苏树兵

作品数：6被引量：4H指数：1
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：DHBTINPINP/INGAASHBTMBE更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistor with Base μ-Bridge and Emitter Air-Bridge
《Journal of Semiconductors》2007年第2期154-158,共5页于进勇 刘新宇 苏树兵 王润梅 徐安怀 齐鸣 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903);中国科学院创新基金(批准号:KGCX2-107)资助项目~~
An InP-based single-heterojunction bipolar transistor （SHBT） with base μ-bndge and emitter air-bridge is reported. Because those bridges reduce parasitic capacitance greatly, the cutoff frequency fT of the 2μm ×1...
关键词：InP HBT μ-bridge air-bridges self-aligning 
A 162GHz Self-Aligned InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistor
《Journal of Semiconductors》2006年第10期1732-1736,共5页于进勇 严北平 苏树兵 刘训春 王润梅 徐安怀 齐 鸣 刘新宇 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903);中国科学院创新工程(批准号:KGCX2 -107)资助项目~~
An emitter self-aligned InP-based single heterojunction bipolar transistor with a cutoff frequency （fT） of 162GHz is reported. The emitter size is 0.8μm × 12μm, the maximum DC gain is 120, the offset voltage is 0...
关键词：INP HBT SELF-ALIGNED 
带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第8期1431-1435,共5页孙浩 齐鸣 徐安怀 艾立鹍 苏树兵 刘新宇 刘训春 钱鹤 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2002CB311902)~~
设计了一种新结构InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT),在集电区与基区之间插入n+-InP层,以降低集电结的导带势垒尖峰,克服电流阻挡效应.采用基于热场发射和连续性方程的发射透射模型,计算了n+-InP插入层掺杂浓度和厚度对InP/InGaAs...
关键词：INP/INGAAS 异质结双极晶体管 复合集电区 掺杂 势垒尖峰 
基于MBE生长的一种Be掺杂InGaAs基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs DHBT被引量：2
《Journal of Semiconductors》2006年第6期1064-1067,共4页苏树兵 徐安怀 刘新宇 齐鸣 刘训春 王润梅 
国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000068304;2002CB311902);中国科学院重点创新(批准号:KGCX2SW107)资助项目~~
报道了一种以InGaAs为基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs双异质结晶体管,获得了直流性能良好的器件.其共射直流增益β达到100,残余电压Voffset约为0.4V,膝点电压Vknee约为1V,击穿电压BVceo超过10V,器件的基极和集电极电流理想因子分别为nb=...
关键词：MBE InGaAs基区 双异质结双极晶体管 
Performance of an InP DHBT Grown by MBE被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第5期792-795,共4页苏树兵 刘新宇 徐安怀 于进勇 齐鸣 刘训春 王润梅 
We report the performance of the first self-aligned InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistor （DHBT） produced in China. The device has a 2μm × 12μm U-shaped emitter area and demonstrates a peak common-e...
关键词：MBE Be-doped InGaAs base INP double heterojunction bipolar transistor 
Performance of a Self-Aligned InP/GaInAs SHBT with a Novel T-Shaped Emitter
《Journal of Semiconductors》2006年第3期434-437,共4页苏树兵 刘训春 刘新宇 于进勇 王润梅 徐安怀 齐鸣 
A self-aligned InP/GalnAs single heterojunction bipolar transistor（HBT） is investigated using a novel T-shaped emitter. A U-shaped emitter layout,selective wet etching,laterally etched undercut, and an air-bridge ar...
关键词：self-alignment emitters InP single heterojunction bipolar transistor T-shaped emitter U-shaped emitter layout 
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