InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistor with Base μ-Bridge and Emitter Air-Bridge  

基极微空气桥和发射极空气桥的InP/InGaAs HBT(英文)

作　　者：于进勇[1] 刘新宇[1] 苏树兵[1] 王润梅[1] 徐安怀[2] 齐鸣[2] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029 [2]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第2期154-158,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903);中国科学院创新基金(批准号:KGCX2-107)资助项目~~

摘　　要：An InP-based single-heterojunction bipolar transistor （SHBT） with base μ-bndge and emitter air-bridge is reported. Because those bridges reduce parasitic capacitance greatly, the cutoff frequency fT of the 2μm ×12.5μm InP SHBT without de-embedding reaches 178GHz. It is critical in high-speed low power applications,such as OEIC receivers and analog-to-digital converters.报道了具有基极微空气桥和发射极空气桥结构的InP单异质结双极型晶体管(SHBT).由于基极微空气桥和发射极空气桥结构有效地减小了寄生,发射极尺寸为2μm×12.5μm的InPHBT的截止频率达到了178GHz.这种器件对高速低功耗的应用非常关键,例如OEIC接收机以及模拟、数字转换器.

关 键 词：InP HBT μ-bridge air-bridges self-aligning 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]