基于MBE生长的一种Be掺杂InGaAs基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs DHBT  

A Novel InGaP/InGaAs/GaAs DHBT Grown by MBE Using Beryllium as p-Type Dopant

作　　者：苏树兵[1] 徐安怀[2] 刘新宇[1] 齐鸣[2] 刘训春[1] 王润梅[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029 [2]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第6期1064-1067,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000068304;2002CB311902);中国科学院重点创新(批准号:KGCX2SW107)资助项目~~

摘　　要：报道了一种以InGaAs为基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs双异质结晶体管,获得了直流性能良好的器件.其共射直流增益β达到100,残余电压Voffset约为0.4V,膝点电压Vknee约为1V,击穿电压BVceo超过10V,器件的基极和集电极电流理想因子分别为nb=1.16,nc=1.11,可应用于低功耗、高功率领域.We fabricate a novel InGaP/InGaAs/GaAs double hetero-junction bipolar junction （DHBT） with an InGaAs base for the first time in China. Good DC performance is obtained. The common-emitter DC current gain is 100,the offset voltage approximates 0.4V, the knee voltage is about 1.0V,and the open-base breakdown voltage is over 10V. The ideality factors for the base and collector current are 1.16 and 1.11 respectively. These results indicate that the InGaP/InGaAs/GaAs DHBTs are suitable for applications in low power-dissipation and high power.

关 键 词：MBE InGaAs基区 双异质结双极晶体管 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]