A 162GHz Self-Aligned InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistor  

162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管(英文)

作　　者：于进勇[1] 严北平[1] 苏树兵[1] 刘训春[1] 王润梅[1] 徐安怀[2] 齐 鸣[2] 刘新宇[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029 [2]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第10期1732-1736,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903);中国科学院创新工程(批准号:KGCX2 -107)资助项目~~

摘　　要：An emitter self-aligned InP-based single heterojunction bipolar transistor with a cutoff frequency （fT） of 162GHz is reported. The emitter size is 0.8μm × 12μm, the maximum DC gain is 120, the offset voltage is 0.10V,and the typical breakdown voltage at Ic = 0. 1μA is 3.8V. This device is suitable for high-speed low-power applications,such as OEIC receivers and analog-to-digital converters.报道了发射极自对准的InP基异质结双极型晶体管.在集电极电流IC=34·2 mA的条件下,发射极面积为0·8μm×12μm的InP HBT截止频率fT为162GHz ,最大振荡频率fmax为52GHz ,最大直流增益为120,偏移电压为0·10V,击穿电压BVCEO达到3·8V(IC=0·1μA) .这种器件非常适合在高速低功耗方面的应用,例如OEIC接收机以及模拟数字转换器.

关 键 词：INP HBT SELF-ALIGNED 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]