云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- GSMBE

GSMBE: 作品数：29被引量：49H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：孙殿照孔梅影林兰英李建平曾一平更多>>; 相关机构：中国科学院中国科学院上海冶金研究所中国科学院大学曲阜师范大学更多>>; 相关期刊：《稀有金属》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《材料科学与工程学报》更多>>; 相关基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金“九五”国家科技攻关计划中国博士后科学基金更多>>

探究GSMBE制备GaAsBi薄膜中生长条件对Bi浓度的影响: 《材料科学与工程学报》2017年第3期352-357,共6页崔健潘文武吴晓燕陈其苗刘娟娟张振普王庶民; 国家重点基础研究发展计划资助项目(2014CB643902);国家自然科学基金关键资助项目(61334004); 为了探究GaAsBi薄膜生长中生长条件与Bi浓度的关系,我们利用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过改变每个GaAsBi单层的生长温度、AsH_3压和Bi源温度,在半绝缘GaAs(100)衬底上生长GaAsBi的多层结构。通过二次离子质谱(SIMS)及透射电镜X光谱...; 关键词：GaAsBi 气态源分子束外延生长温度 AsH3压 Bi源温度

气源分子束外延生长的InPBi薄膜材料中的深能级中心: 《发光学报》2016年第12期1532-1537,共6页王海龙韦志禄李耀耀王凯潘文武吴晓燕岳丽李士玲龚谦王庶民; 国家自然科学基金(61176065,61205055);山东省自然科学基金(ZR2014FM011);信息功能材料国家重点实验室开放课题(SKL201307)资助项目; 利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了气源分子束外延(GSMBE)生长的InP1-xBix材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载流子深能级中心E1,E1的能级位置为Ec-0.38 e V,俘获截面为1.87×10^(-15)cm^2。在未有意掺杂的InP0.97...; 关键词：InPBi 深中心深能级瞬态谱(DLTS) 气源分子束外延(GSMBE)

GaAs/AlAs DBR的GSMBE优化生长及表征: 《稀有金属材料与工程》2007年第4期587-591,共5页谢正生吴惠桢劳燕锋刘成曹萌; 国家重点基础研究发展计划("973"计划)(2003CB314903); 采用气态源分子束外延(GSMBE)技术优化生长了GaAs/AlAs分布布拉格反射镜(DBR)材料,并用X射线衍射(XRD)及反射光谱对其生长质量进行了表征。结果表明,采用5s间断生长的GaAs/AlAs DBR材料质量和界面质量优于无间断生长,并且10对GaAs/AlAs ...; 关键词：分布布拉格反射镜气态源分子束外延 X射线衍射反射谱

InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性: 《Journal of Semiconductors》2007年第z1期182-185,共4页齐鸣徐安怀艾立鹍孙浩朱福英; 国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2002CB311902); 通过对外延材料结构设计和GSMBE生长工艺的深入研究,解决了生长InP基及含磷化合物HBT外延材料的关键问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的φ50mm InP基HBT和φ100mm InGaP/GaAs HBT外延材料.所发展的GSMBE外延技术,在A...; 关键词：InP INGAP GaAs GSMBE HBT

InGaP/InGaAs/GaAs DHBT structural materials grown by GSMBE被引量：2: 《Rare Metals》2006年第z2期20-23,共4页AI Likun XU Anhuai SUN Hao ZHU Fuying QI Ming; Heterojunction bipolar transistor (HBT) is of great interest for the application to microwave power and analog circuits. As known, decreasing bandgap energy of the base layer in HBT can result in a smaller turn-on vol...; 关键词：double heterojunction bipolar transistor (DHBT) gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) gallium arsenic (GaAs) indium gallium arsenic (InGaAs)

GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为: 《Journal of Semiconductors》2005年第6期1149-1153,共5页刘超高兴国李建平曾一平李晋闽; 国家自然科学基金资助项目(批准号:60276045)~~; 在SIMOXSOI超薄硅衬底上外延生长了高质量SiGe合金薄膜来制备SGOI(SiGeoninsulator)样品,并研究了其在1050℃氧化气氛中的高温退火行为.用Raman,DCXRD,RBS和光学显微镜等分析手段对SGOI样品在退火前后的性能进行了表征.分析结果表明:SGO...; 关键词：MBE 绝缘体上硅锗退火行为

GSMBE InGaP/GaAs材料大面积均匀性研究被引量：2: 《稀有金属》2004年第3期569-571,共3页李爱珍李华李存才胡建唐雄心齐鸣; 中国科学院重大基础项目和 973项目 (KY 95 1 B1 70 6;G2 0 0 0 0 683 0 4; 报道了气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长的Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs材料的晶体完整性 ,组分均匀性和表面缺陷密度。用PhilipsX Pert′s四晶衍射仪沿Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs样品的x轴和y轴以 5mm间隔测量ω/2θ双晶摇摆曲线 ,获得...; 关键词：INGAP 均匀性气态源分子束外延 X射线双晶衍射 INGAP/GAAS

GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术: 《固体电子学研究与进展》2003年第2期142-144,共3页黄大定刘超李建平高斐孙殿照朱世荣孔梅影; 在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制 ,建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长 Si Ge/Si材料的原位掺杂控制技术。采用该技术生长的 Si Ge/Si HBT外延材料 ,可将硼杂质较好地限制在 Si Ge合金基区内 ,并能有...; 关键词：GSMBE SiGe/Si材料原位掺杂控制技术气源分子束外延异质结双极晶体管锗硅合金材料

高性能In_(0.53)Ga_(0.47)AsPIN光电探测器的研制被引量：7: 《功能材料与器件学报》2002年第1期45-48,共4页刘家洲陈意桥税琼南矿军李爱珍张永刚; 国家重点基础研究专项经费G20000683资助课题; 报道了采用GSMBE方法研制的In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器,器件结构中引入了宽禁带InP窗口层和聚酰亚胺钝化工艺,减小了暗电流,提高了器件性能。在反向偏压为5V时器件的暗电流为640pA,反向偏压为10V时测得器件的上升时间为37.2ps,下降时...; 关键词：光电探测器分子束外延 PIN二极管光纤通信 GSMBE 宽禁带半导体镓砷铟化合物

高质量氮化镓材料的光致发光研究被引量：1: 《应用光学》2001年第2期35-38,共4页王军喜孙殿照王晓亮刘宏新刘成海曾一平李晋闽侯洵林兰英; 利用氨气源分子束外延 ( GSMBE)技术 ,在改型型分子束外延设备上生长高质量 Ga N单晶外延材料 ,并对样品进行了光致发光测量。分析室温和低温光致发光谱 ,系统地研究 Ga N的发光峰及其起源 ,并对常见的黄色发光带现象及其微结构起因...; 关键词：氮化镓光致发光分子束外延发光峰黄色发光带 GSMBE 光电器件

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